Giới thiệu chung
FQA13N80 là MOSFET kênh N, thuộc dòng QFET®, được thiết kế để xử lý điện áp cao và dòng lớn. Với khả năng chịu điện áp lên đến 800V và dòng điện liên tục 12.6A, thiết bị này phù hợp cho các ứng dụng công suất cao như nguồn xung (SMPS), bộ chỉnh lưu hệ số công suất (PFC), bộ biến tần và điều khiển động cơ.

Đặc điểm nổi bật FQA13N80
-
Công nghệ planar stripe DMOS: Giúp giảm điện trở dẫn và cải thiện hiệu suất chuyển mạch.
-
Điện áp drain-source (V<sub>DSS</sub>): 800V.
-
Dòng drain liên tục (I<sub>D</sub>): 12.6A tại 25°C.
-
Điện trở dẫn (R<sub>DS(on)</sub>): 0.75Ω (tối đa) tại V<sub>GS</sub> = 10V, I<sub>D</sub> = 6.3A.
-
Điện tích cổng (Q<sub>g</sub>): 68nC (điển hình).
-
Điện dung đầu ra (C<sub>oss</sub>): 275pF (điển hình).
-
Công suất tiêu tán tối đa (P<sub>D</sub>): 300W.
-
Nhiệt độ hoạt động: -55°C đến +150°C.
-
Gói linh kiện: TO-3P.
Ứng dụng FQA13N80
-
Nguồn cung cấp chuyển mạch (SMPS): Được sử dụng trong các thiết bị điện tử yêu cầu nguồn ổn định và hiệu suất cao.
-
Bộ chỉnh lưu hệ số công suất (PFC): Giúp cải thiện hiệu suất năng lượng trong các hệ thống điện.
-
Bộ biến tần: Chuyển đổi dòng điện DC sang AC trong các hệ thống năng lượng tái tạo.
-
Điều khiển động cơ: Điều khiển tốc độ và mô-men xoắn của động cơ điện.
-
Thiết bị chiếu sáng điện tử: Ứng dụng trong các hệ thống chiếu sáng hiệu suất cao.
Thông số kĩ thuật FQA13N80

Sơ đồ chân và cấu tạo FQA13N80

Kích thước FQA13N80

Xem thêm các Mosfet khác tại đây
Datasheet FQA13N80




Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.