Giới thiệu H25R1203
H25R1203 là một loại IGBT (Transistor lưỡng cực có cổng cách ly) thuộc dòng điện áp cao – dòng lớn, chuyên dùng trong mạch biến tần (inverter), bộ kích xung (driver), UPS, mạch hàn điện tử hoặc thiết bị điều khiển công suất. Đây là loại IGBT kênh N, được tối ưu hóa cho hoạt động đóng/ngắt tốc độ cao và tổn hao thấp.

Cấu tạo

Thông số kỹ thuật

Nguyên lý hoạt động
- Khi IGBT tắt (Off State):
- Điện áp cổng thấp: Khi điện áp giữa chân Gate và Emitter thấp hơn điện áp ngưỡng, IGBT ở trạng thái tắt.
- Dòng điện không chảy qua Collector và Emitter: Do lớp P-N giữa Collector và Emitter bị phân cực ngược, không cho phép dòng điện chảy qua.
- Khi IGBT bật (On State):
- Điện áp cổng cao: Khi điện áp giữa chân Gate và Emitter vượt qua điện áp ngưỡng, IGBT chuyển sang trạng thái bật.
- Dòng điện chảy qua Collector và Emitter: Điện áp cổng kích thích sự hình thành của kênh dẫn giữa Collector và Emitter, cho phép dòng điện chảy qua với điện áp bảo hòa thấp.
Ưu điểm và ứng dụng:
- Khả năng chuyển mạch nhanh: H25R1203 có thể chuyển đổi nhanh chóng giữa trạng thái bật và tắt, phù hợp cho các ứng dụng cần tốc độ chuyển mạch cao.
- Tổn thất công suất thấp: Với điện áp bảo hòa thấp, IGBT giúp giảm tổn thất năng lượng và nhiệt tỏa ra.
- Điều khiển điện áp thấp: Điện áp cổng điều khiển thấp giúp đơn giản hóa mạch điều khiển.
Ứng dụng phổ biến:
- Biến tần (Inverters): Chuyển đổi điện năng từ DC sang AC trong các hệ thống công suất cao, bao gồm biến tần cho động cơ AC và hệ thống năng lượng mặt trời.
- Bộ điều khiển động cơ (Motor Drives): Điều khiển tốc độ và mô-men xoắn của động cơ trong các ứng dụng công nghiệp.
- Nguồn xung (Switch Mode Power Supplies): Cung cấp điện cho các thiết bị công suất lớn.
- Hệ thống năng lượng tái tạo: Chuyển đổi năng lượng từ các nguồn tái tạo như năng lượng mặt trời hoặc gió sang lưới điện.
Kích thước

Datasheet H30R1203



Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.