IRGP35B60PD GP35B60PD Mosfet Kênh N TO-247 (tháo máy)
19,500₫
Kinh doanh 1: 0333.595.662
Kinh doanh 2: 0372.770.860
(Giờ làm việc: Buổi sáng: 7:30-12:00, Buổi chiều: 13:30-18:00 từ Thứ 2 đến thứ 7 )
Chú ý: Chỉ gửi đơn hàng tối thiểu 50.000 vnđ và chưa bao gồm phí vận chuyển.
Giới thiệu về GP35B60PD
-
IRGP35B60PD là một IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) do Infineon sản xuất.
-
Là loại IGBT Punch-Through, kết hợp ưu điểm của MOSFET và BJT.
-
Có diode hồi tiếp nhanh tích hợp sẵn.
-
Dùng trong các mạch công suất cao và tốc độ chuyển mạch khá nhanh.
Thông số kỹ thuật của GP35B60PD
-
Điện áp chịu đựng (V<sub>CES</sub>): 600V
-
Dòng điện liên tục (I<sub>C</sub>): 35A (tại 100°C)
-
Dòng điện xung cực đại (I<sub>CM</sub>): ~70A
-
Điện áp điều khiển cổng (V<sub>GE</sub>): ±20V
-
Tổn hao chuyển mạch thấp, hiệu suất cao
-
Gói linh kiện: TO-247 (3 chân)
-
Có diode fast recovery tích hợp để hoạt động ở chế độ đảo chiều dòng điện
Ứng dụng của GP35B60PD
-
Biến tần điều khiển động cơ AC
-
Bộ chuyển đổi DC-AC, DC-DC
-
Bộ lưu điện UPS
-
Nguồn xung (SMPS)
-
Inverter năng lượng mặt trời
-
Máy hàn điện tử
-
Bộ điều tốc động cơ (motor drives)
Ưu điểm của GP35B60PD
-
Hiệu suất cao, chịu tải lớn
-
Tích hợp diode giúp đơn giản hóa mạch
-
Tin cậy trong môi trường nhiệt độ cao
-
Dễ thay thế nhờ chuẩn TO-247
Sơ đồ chân của GP35B60PD
Kích thước của GP35B60PD
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.