IXTQ96N15P MOSFET Kênh N 150V 96A TO-3P tháo máy

GIỚI THIỆU VỀ IXTQ96N15P

IXTQ96N15P là một transistor MOSFET kênh N thuộc dòng PolarHV™ của IXYS (nay là Littelfuse). Đây là một linh kiện bán dẫn công suất được thiết kế cho các ứng dụng chuyển mạch hiệu suất cao, đặc biệt là trong các bộ chuyển đổi DC-DC, bộ sạc pin, bộ nguồn xung và các ứng dụng điều khiển động cơ.

Đặc điểm chính:

• Loại linh kiện: MOSFET kênh N (N-Channel Enhancement Mode)
• Điện áp Drain-Source tối đa (VDSS​): 150V
• Dòng điện Drain liên tục (ID​) ở 25°C: 96A (ở nhiệt độ vỏ Tc​)
• Điện trở dẫn Drain-Source khi bật (RDS(on)​) tối đa: 0.024 Ω tại VGS​=10V, ID​=0.5A
• Công suất tiêu tán (PD​) ở 25°C: 480W (ở nhiệt độ vỏ Tc​)
• Điện áp Gate-Source tối đa (VGS​): ±20V
• Điện tích cổng (Qg) tối đa: 110 nC tại VGS​=10V
• Điện áp ngưỡng Gate (VGS(th)​) tối đa: 5V tại ID​=250μA
• Kiểu chân: TO-3P

SƠ ĐỒ CHÂN IXTQ96N15P:

NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA MOSFET (Tổng Quan)

• Điều khiển dòng điện giữa Drain (D) và Source (S) bằng điện áp đặt vào Gate (G).
• Điện áp Gate tạo ra điện trường, hình thành hoặc triệt tiêu kênh dẫn điện trong chất bán dẫn.
• MOSFET kênh N:
  • Khi điện áp Gate-Source (VGS​) thấp hơn điện áp ngưỡng (Vth​), MOSFET ở trạng thái tắt, dòng điện ID​≈0.
  • Khi VGS​ cao hơn Vth​, kênh dẫn N được tạo ra, cho phép dòng điện chạy từ Drain sang Source.
  • Dòng điện ID​ tăng theo VGS​ và điện áp Drain-Source (VDS​) trong các vùng hoạt động khác nhau.

THỐNG SỐ KĨ THUẬT IXTQ96N15P:

CHỨC NĂNG CỦA IXTQ96N15P:

• Chuyển mạch (Switching) công suất cao:
  • Đóng/mở mạch điện nhanh chóng cho dòng điện lớn (lên đến 96A) và điện áp trung bình (150V) với tổn thất thấp.
  • Thích hợp cho các ứng dụng chuyển mạch tần số cao.
• Điều khiển (Control):
  • Điều chỉnh dòng điện hoặc điện áp bằng cách thay đổi điện áp Gate.

ỨNG DỤNG THỰC TẾ CỦA IXTQ96N15P:

• Bộ chuyển đổi DC-DC.
• Bộ sạc pin.
• Bộ nguồn xung và cộng hưởng.
• Điều khiển động cơ AC và DC.
• Điều khiển servo và robot.
• Mạch điều khiển laser.

LƯU Ý KHI SỬ DỤNG IXTQ96N15P

• Tham khảo Datasheet:
  • Luôn tìm và đọc kỹ datasheet của IXYS (Littelfuse) để có thông số kỹ thuật chính xác và đầy đủ.
• Cẩn thận với tĩnh điện (ESD):
  • MOSFET rất nhạy cảm với tĩnh điện, cần sử dụng các biện pháp bảo vệ khi thao tác.
• Điều khiển Gate:
  • Sử dụng mạch điều khiển Gate phù hợp để đảm bảo tốc độ chuyển mạch tối ưu và tránh quá áp hoặc thiếu áp. Lưu ý đến điện tích cổng (Qg) tương đối cao khi thiết kế mạch driver.
• Tản nhiệt:
  • Gắn MOSFET vào tản nhiệt phù hợp với công suất tiêu thụ và dòng điện hoạt động để tránh quá nhiệt. Kiểu chân TO-3P cần được lắp đặt cẩn thận để đảm bảo tiếp xúc nhiệt tốt.
• Không vượt quá định mức:
  • Tuân thủ nghiêm ngặt các thông số điện áp và dòng điện tối đa được chỉ định trong datasheet.
• Điện áp điều khiển Gate:
  • Sử dụng điện áp Gate nằm trong phạm vi quy định (thường khoảng 10V để đạt RDS(on)​ thấp, và không vượt quá ±20V).
• Bảo vệ mạch:
  • Sử dụng các biện pháp bảo vệ quá dòng, quá áp để bảo vệ MOSFET và các linh kiện khác trong mạch.
• Lưu ý về Diode nội tại:
  • MOSFET này có diode nội tại giữa Drain và Source. Cần xem xét các đặc tính của diode này (thời gian phục hồi ngược trr) nếu nó được sử dụng trong các ứng dụng như mạch cầu hoặc diode bảo vệ.
• Tối ưu hóa chuyển mạch:
  • Thiết kế mạch để giảm thiểu tổn thất chuyển mạch, đặc biệt quan trọng trong các ứng dụng tần số cao. Lưu ý đến thời gian bật/tắt và các thông số liên quan.
• Điện trở dẫn thấp:
  • Tận dụng điện trở dẫn thấp (RDS(on)​) để giảm tổn thất dẫn điện, đặc biệt ở dòng điện cao.

KÍCH THƯỚC IXTQ96N15P:

Xem thêm các Mosfet khác tại đây

DATASHEET IXTQ96N15P: