Giới thiệu IGBT
– 10N120BND là một IGBT kết hợp tốt nhất tính năng của MOSFETs và bóng bán dẫn lưỡng cực.
– IGBT này có trở kháng đầu vào cao của MOSFET và tổn thất dẫn điện ở trạng thái thấp của bóng bán dẫn lưỡng cực.
– IGBT được sử dụng là loại TA49291.
– Diode được sử dụng là loại TA49189
– IGBT lý tưởng cho nhiều chuyển mạch điện áp cao các ứng dụng hoạt động ở tần số vừa phải, nơi thấp tổn thất dẫn điện là rất cần thiết, chẳng hạn như: điều khiển động cơ AC và DC, nguồn cung cấp điện và trình điều khiển cho cuộn dây, rơ le và công tắc tơ.
Đặc trưng
– 35A, 1200V, TC = 25oC
– Suy hao điện thấp
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.