10N60M2 STD10N60M2 Mosfet kênh N 7.5A 600V TO-252

Giới thiệu chung

STD10N60M2 là MOSFET công suất kênh N điện áp cao 600V, sử dụng công nghệ super-junction MDmesh M2 giúp giảm điện trở dẫn và tăng hiệu suất chuyển mạch. Linh kiện có dạng vỏ TO-252 (DPAK) dán SMD, phù hợp cho các bộ nguồn xung và mạch công suất kích thước nhỏ.

Đặc điểm nổi bật

• Điện áp chịu đựng cao 600V

• Dòng dẫn liên tục 7.5A

• Điện trở dẫn thấp khoảng 0.55Ω (điều khiển gate 10V)

• Gate charge nhỏ, đóng cắt nhanh

• Tổn hao chuyển mạch thấp, ít sinh nhiệt

• Có khả năng chịu avalanche

• Tích hợp bảo vệ zener tại cổng gate

• Gói TO-252 tản nhiệt qua pad đồng PCB

Thông số kỹ thuật chính

• Loại MOSFET: kênh N

• VDS tối đa: 600V

• ID liên tục: 7.5A (khi có tản nhiệt tốt)

• VGS tối đa: ±25V

• Ngưỡng mở VGS(th): khoảng 3 đến 4V

• RDS(on): khoảng 0.55 đến 0.6Ω

• Gate charge: khoảng 13nC

• Nhiệt độ làm việc: −55°C đến 150°C

• Công suất tiêu tán lớn khi hàn pad tản nhiệt đúng kỹ thuật

Sơ đồ chân TO-252

• Chân 1: Gate

• Chân 2 và tab kim loại: Drain

• Chân 3: Source

Sơ đồ cấu tạo 

Ứng dụng

• Nguồn xung flyback, forward công suất nhỏ và trung bình

• Mạch PFC trong bộ nguồn

• Nguồn adapter, sạc điện

• Driver đèn LED công suất

• Nguồn TV, màn hình, thiết bị gia dụng

• Mạch nghịch lưu công suất nhỏ

Kích thước 

Ưu điểm khi sử dụng

• Hiệu suất cao hơn MOSFET thường cùng mức điện áp

• Giảm nhiệt khi hoạt động tần số cao

• Phù hợp mạch nguồn cần linh kiện SMD nhỏ gọn

• Tối ưu cho thiết kế tiết kiệm diện tích PCB

Datasheet 10N60M2