Tổng quan về Transistor NGTB20N120IHRWG (20N120IHR)
NGTB20N120IHRWG, còn được biết đến với tên gọi 20N120IHR, là một loại IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) – một thiết bị bán dẫn công suất cao, kết hợp giữa khả năng điều khiển điện áp như MOSFET và khả năng dẫn dòng lớn như BJT. Nó được thiết kế để hoạt động hiệu quả trong các mạch yêu cầu điện áp cao, dòng lớn và tần số chuyển mạch cao, điển hình như trong nguồn điện công suất lớn, bộ nghịch lưu (inverter), điều khiển động cơ, và hệ thống cảm ứng nhiệt.
Đặc điểm nổi bật về Transistor NGTB20N120IHRWG (20N120IHR)
-
Điện áp chịu đựng cao (1200V): Phù hợp với các hệ thống trung áp (medium voltage).
-
Dòng điện dẫn lớn (20A): Có thể điều khiển tải lớn, motor, cuộn cảm…
-
Vce(sat) thấp (2.1V): Giảm tổn thất dẫn, tăng hiệu suất.
-
Tốc độ chuyển mạch cao: Giảm tổn hao năng lượng ở tần số cao.
-
Công suất tiêu tán cao (225W): Thích hợp cho hoạt động liên tục ở tải nặng.
-
Gói TO-247: Chuẩn công nghiệp, dễ lắp đặt và tản nhiệt.
Sơ đồ chân về Transistor NGTB20N120IHRWG (20N120IHR)
Thông số kỹ thuật về Transistor NGTB20N120IHRWG (20N120IHR)
Kích thước về Transistor NGTB20N120IHRWG (20N120IHR)
Xem thêm sản phẩm transistor tại đây
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.