2812 TPS2812DR IC điều khiển Mosfet SOP-8

Giới thiệu chung

TPS2812DR là IC driver cổng dùng để điều khiển MOSFET hoặc IGBT trong các mạch công suất. IC được thiết kế để tăng dòng điều khiển ở cổng (Gate) của transistor công suất, hỗ trợ đóng/mở MOSFET/IGBT nhanh hơn so với tín hiệu trực tiếp từ vi điều khiển. Với 2 kênh driver độc lập và dòng đỉnh lên tới khoảng 2A mỗi kênh, TPS2812DR phù hợp các ứng dụng nguồn xung, mạch chuyển mạch, biến tần nhỏ, mạch PWM công suất thấp–trung bình.

 Đặc điểm chính

• Loại IC: Driver cổng MOSFET/IGBT

• Số kênh: 2 kênh độc lập

• Dòng đầu ra: ~2A mỗi kênh (đủ mạnh để kích cổng transistor công suất)

• Điện áp hoạt động: khoảng 4V – 14V

• Tốc độ cao: thời gian lên/xuống nhanh, phù hợp cho mạch xung

• Đóng gói: SOP-8 / SOIC-8 (dạng SMD)

• Điều khiển bằng điện áp Gate: giúp tăng hiệu suất đóng/cắt MOSFET/IGBT

Thông số kỹ thuật

• Tên linh kiện: TPS2812DR / 2812

• Chức năng: Dual Gate Driver (bộ điều khiển cổng)

• Số kênh: 2

• Dòng đầu ra tối đa: ~2A/kênh

• Điện áp đầu vào supply: ~4V – 14V

• Điện áp điều khiển: logic input để kích gate transistor

• Chuẩn đóng gói: SOP-8 (bề mặt)

• Mục đích: dùng để drive gate MOSFET hoặc IGBT công suất

Sơ đồ chân 

Sơ đồ khối chức năng 

 Ứng dụng

IC TPS2812DR thường được dùng trong:

• Mạch nguồn xung (SMPS)

• Mạch driver MOSFET/IGBT trong inverter/biến tần

• Mạch PWM điều khiển động cơ

• Driver transistor công suất cho bộ nghịch lưu nhỏ–trung

• Các ứng dụng đòi hỏi đóng/cắt transistor công suất nhanh và hiệu quả

Kích thước 

Datasheet TPS2814DR