Giới thiệu tổng quát 30N60A4D
30N60A4D (tên đầy đủ: HGTG30N60A4D) là một loại IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) thuộc dòng Field Stop IGBT của hãng ON Semiconductor / Fairchild, được thiết kế cho các ứng dụng chuyển mạch công suất cao, tốc độ nhanh như biến tần (inverter), bộ kích điện (inverter), máy hàn, UPS, bộ nguồn xung (SMPS) và các ứng dụng điều khiển động cơ công nghiệp.
Đặc điểm nổi bật 30N60A4D
-
Dòng tải lớn 75A, phù hợp tải công suất cao như motor, máy hàn.
-
Điện áp hoạt động lên đến 600V → phù hợp các mạch điện áp cao.
-
Tốc độ chuyển mạch cao với thời gian rise/fall ngắn → giảm tổn thất điện năng.
-
Công nghệ Field Stop và Trench IGBT → tối ưu hóa hiệu suất, giảm tổn thất chuyển mạch.
-
Vỏ TO-247, dễ tản nhiệt, dễ thay thế, thông dụng trong công nghiệp.
Ứng dụng tiêu biểu 30N60A4D
-
Biến tần (inverter) điều khiển động cơ.
-
Máy hàn điện tử (Inverter Welding Machine).
-
Bộ kích điện (DC-AC inverter) dùng trong năng lượng mặt trời.
-
UPS công nghiệp.
-
Nguồn xung công suất cao.
-
Mạch điều khiển điện trở, relay bán dẫn.
Sơ đồ chân 30N60A4D
Thông số kỹ thuật 30N60A4D
Kích thước 30N60A4D
Xem thêm sản phẩm IGBT tại đây
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.