Giới thiệu về IGBT MBQ40T120FDHA
- IGBT này được sản xuất bằng MagnaChip’s Field tiên tiến Công nghệ IGBT của rãnh dừng, cung cấp VCE (SAT) thấp, hiệu suất chuyển mạch cao và chất lượng tuyệt vời.
Đặc trưng của IGBT MBQ40T120FDHA
- Chuyển mạch tốc độ cao và tổn thất điện năng thấp.
- VCE (sat) = 2.0V @ IC = 40A.
- Trở kháng đầu vào cao.
- trr = 100ns (điển hình).
- Ứng dụng
Ứng dụng của IGBT MBQ40T120FDHA
- Biến tần.
- UPS.
- PFC.
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.