K25H1203 IGBT 25A 1200V TO-247 Tháo máy

Giới thiệu chung

K25H1203 là một IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) kênh N, được thiết kế để hoạt động trong các mạch điện áp cao, công suất lớn. Linh kiện này kết hợp ưu điểm của MOSFET (điều khiển nhanh, trở kháng cao) và transistor lưỡng cực (khả năng chịu dòng mạnh), rất phù hợp trong các ứng dụng như biến tần, máy hàn, bộ kích điện và UPS.

Đặc điểm nổi bật

-K25H1203 là IGBT loại N-channel, có khả năng chịu điện áp tới 1200V và dòng Collector lên tới 50A (tuỳ điều kiện làm mát).
-Thời gian đóng cắt nhanh, tổn hao thấp khi hoạt động ở tần số trung bình.
-Vỏ TO-247 với 3 chân: Collector, Gate, Emitter – dễ gắn tản nhiệt và thay thế trong các thiết bị công suất cao.
-IGBT này thường được sử dụng trong các mạch yêu cầu đóng cắt dòng lớn và điện áp cao với độ ổn định cao.

Cấu tạo

Cấu trúc bán dẫn lai giữa MOSFET và BJT.
Vỏ TO-247, mặt lưng kim loại tiếp xúc tản nhiệt tốt.
Chân Collector nối thẳng với mặt tản nhiệt, còn Gate và Emitter nằm cùng phía trước.

Sơ đồ chân và sơ đồ cấu tạo

Thông số kỹ thuật cơ bản

Kích thước

Ứng dụng

Biến tần điều khiển động cơ 1 pha hoặc 3 pha
Bộ nghịch lưu (inverter), UPS, nguồn dự phòng
Máy hàn điện tử, máy plasma
Bộ kích điện (DC to AC)
Thiết bị điều khiển công nghiệp công suất lớn
Nguồn công suất cao trong thiết bị tự động hoá

Datasheet