Giới thiệu chung
G4PC50S là IGBT công suất cao Linh kiện này được thiết kế cho các ứng dụng dòng lớn và điện áp cao như điều khiển động cơ, inverter, SMPS/PFC và nguồn công nghiệp. Được đóng gói TO‑247, linh kiện có mặt lưng kim loại giúp tản nhiệt tốt khi hoạt động ở công suất lớn.
Đặc điểm
-
IGBT kênh N, điều khiển bằng điện áp gate (gate cách điện).
-
Tốc độ chuyển mạch cao, phù hợp mạch inverter hoặc switching tần số cao.
-
Dòng liên tục khoảng 41–50 A, dòng xung đỉnh có thể lên đến 70 A.
-
Điện áp Collector–Emitter tối đa: 600 V.
-
Điện áp bão hòa Collector–Emitter (V_CE(sat)) thấp, từ 1.8–2.0 V ở V_GE = 15 V, I_C ≈ 25–50 A.
-
Thích hợp cho các ứng dụng công nghiệp cần linh kiện chịu dòng và điện áp lớn, với hiệu suất cao.
Cấu tạo
-
Ba chân: Gate, Collector, Emitter.
-
Tab kim loại phía sau nối Collector, tăng khả năng tản nhiệt.
-
Thân IGBT được thiết kế để chịu dòng lớn, điện áp cao, đảm bảo độ tin cậy trong môi trường công nghiệp.
-
Cấu trúc bán dẫn cho phép kết hợp ưu điểm của MOSFET (điều khiển bằng điện áp) và BJT (chịu dòng cao).
-
Thích hợp gắn heatsink trực tiếp nhờ TO‑247, giúp làm mát hiệu quả trong ứng dụng công suất lớn.
Sơ đồ chân và sơ đồ cấu tạo

Thông số kỹ thuật chính

Kích thước

Ứng dụng
-
Bộ điều khiển động cơ AC/DC, servo, robot.
-
Inverter và biến tần công nghiệp.
-
Nguồn công suất cao, SMPS, UPS, mạch PFC.
-
Hệ thống năng lượng tái tạo, bộ nghịch lưu điện áp cao.
Xem thêm các mã IGBT khác tại đây




Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.