Giới thiệu chung
FGA20S120M là một linh kiện bán dẫn công suất thuộc loại IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), được sử dụng rộng rãi trong các mạch điện công suất cao. Linh kiện này kết hợp ưu điểm của MOSFET (điều khiển bằng điện áp, trở kháng vào cao) và transistor lưỡng cực (chịu dòng lớn), giúp hoạt động hiệu quả trong các hệ thống điện công nghiệp. Với khả năng chịu điện áp lên tới 1200V và dòng 20A, FGA20S120M thường được ứng dụng trong biến tần, nguồn xung và các mạch điều khiển động cơ. Đối với hàng tháo máy, linh kiện đã qua sử dụng nhưng vẫn có thể hoạt động tốt nếu đảm bảo chất lượng.

Đặc điểm
- Chịu điện áp cao, phù hợp các mạch công suất
- Dòng tải tương đối lớn, đáp ứng nhiều ứng dụng
- Điều khiển dễ dàng bằng điện áp Gate
- Tốc độ đóng cắt nhanh, tổn hao thấp
- Hiệu suất làm việc cao
- Tích hợp diode hồi tiếp giúp bảo vệ mạch
- Đóng gói TO-3PN dễ gắn tản nhiệt
Cấu tạo
IGBT FGA20S120M có cấu tạo gồm nhiều lớp bán dẫn đặc biệt:
- Cổng Gate cách ly bằng lớp oxide giúp điều khiển bằng điện áp
- Cực Collector và Emitter là hai cực chính dẫn dòng
- Cấu trúc bán dẫn nhiều lớp (PNPN) giúp chịu điện áp cao
- Diode hồi tiếp tích hợp để dẫn dòng ngược
- Vỏ ngoài dạng TO-3PN giúp bảo vệ linh kiện và hỗ trợ tản nhiệt
Cấu trúc này cho phép linh kiện vừa có khả năng đóng cắt nhanh, vừa chịu được dòng và áp lớn.
Sơ đồ chân và sơ đồ cấu tạo

Thông số kỹ thuật

Kích thước

Ứng dụng
- Biến tần (inverter)
- Mạch điều khiển động cơ
- Nguồn xung công suất lớn
- Máy hàn điện tử
- Thiết bị công nghiệp
- Hệ thống điện năng lượng
Kết luận
FGA20S120M là một IGBT công suất cao, có khả năng chịu điện áp lớn và dòng tải ổn định, phù hợp với nhiều ứng dụng điện công nghiệp. Nhờ khả năng đóng cắt nhanh và hiệu suất cao, linh kiện này giúp nâng cao hiệu quả hoạt động của các hệ thống điện. Đối với hàng tháo máy, nếu được kiểm tra kỹ trước khi sử dụng, vẫn có thể đáp ứng tốt yêu cầu trong các mạch công suất.
Xem thêm các mã IGBT khác tại đây



Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.