Giới thiệu về PS21765
PS21765 là một mô-đun IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) do Powerex sản xuất. Mô-đun IGBT này được thiết kế cho các ứng dụng điều khiển công suất và chuyển mạch, và là một phần quan trọng trong các hệ thống biến tần, điều khiển động cơ và các ứng dụng công suất công nghiệp

Thông số Kỹ thuật Chính của PS21765
- Loại: Mô-đun IGBT
- Điện áp cực đại (Vce): 600V
- Dòng cực đại (Ic): 20A
- Điện trở khi bật (Rce(on)): Khoảng 0.35Ω (tại nhiệt độ môi trường 25°C)
- Công suất tỏa nhiệt tối đa (Ptot): Khoảng 100W (tại điều kiện làm mát và nhiệt độ môi trường 25°C)
- Nhiệt độ hoạt động: -40°C đến +150°C

Đặc điểm PS21765
- Điện áp cực đại: PS21765 có khả năng chịu đựng điện áp tối đa 600V, phù hợp cho các ứng dụng công suất trung bình.
- Dòng điện: Có khả năng xử lý dòng điện tối đa 20A, phù hợp cho các ứng dụng công suất vừa và lớn.
- Điện trở khi bật: Điện trở khi bật thấp khoảng 0.35Ω giúp giảm tổn thất năng lượng và nâng cao hiệu suất chuyển mạch.
Ứng dụng PS21765
- Biến tần: Thích hợp cho các hệ thống biến tần để điều khiển tốc độ và công suất của động cơ, đặc biệt trong các ứng dụng công nghiệp.
- Điều khiển động cơ: Được dùng trong các bộ điều khiển động cơ để xử lý dòng điện lớn và điều chỉnh hiệu suất hoạt động.
- Hệ thống cung cấp năng lượng: Phù hợp cho các ứng dụng cung cấp năng lượng công suất vừa và lớn trong các hệ thống công nghiệp.
Sơ đồ cấu tạo PS21765

Sơ đồ mạch ứng dụng

Kích thước PS21765


Datasheet PS21765



Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.