Giới thiệu chung
LP2301BLT1G là transistor hiệu ứng trường MOSFET kênh P, được thiết kế cho các mạch đóng cắt và điều khiển nguồn điện tử. Linh kiện có điện áp Drain-Source tối đa 20V, dòng Drain phù hợp với các ứng dụng công suất nhỏ và sử dụng kiểu đóng gói SOT-23 nhỏ gọn. Với kích thước nhỏ, khả năng đóng cắt nhanh và điện trở dẫn thấp, LP2301BLT1G thường được sử dụng trong các mạch quản lý nguồn, bảo vệ pin, điều khiển tải và các thiết bị điện tử nhỏ gọn.

Đặc điểm
● MOSFET kênh P (P-Channel).
● Điện áp Drain-Source tối đa: -20V.
● Dòng Drain tối đa khoảng -3.6A tùy điều kiện tản nhiệt.
● Điện trở RDS(on) thấp, giúp giảm tổn hao khi MOSFET dẫn.
● Có thể điều khiển bằng mức điện áp Gate thấp.
● Đóng cắt nhanh, phù hợp cho các mạch nguồn và điều khiển tải.
● Kiểu đóng gói SOT-23 nhỏ gọn.
● Mã ký hiệu trên thân: 01B.
Cấu tạo
● Gate (G): Chân điều khiển trạng thái đóng/ngắt của MOSFET.
● Drain (D): Chân dẫn dòng ra tải.
● Source (S): Chân kết nối về nguồn của mạch.
● MOSFET sử dụng cấu trúc bán dẫn kênh P, cho phép điều khiển dòng điện thông qua điện áp đặt vào chân Gate.
Thông số kỹ thuật

Kích thước

Ứng dụng
● Mạch quản lý và chuyển đổi nguồn.
● Mạch đóng cắt nguồn DC.
● Mạch bảo vệ và quản lý pin.
● Điều khiển tải công suất nhỏ.
● Mạch điện tử sử dụng nguồn điện áp thấp.
● Thiết bị điện tử cầm tay và mạch điều khiển nhỏ gọn.

Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.