Transistor BC850C kí hiệu 2GW kiểu chân SOT23

BC850C là transistor lưỡng cực loại NPN (Bipolar Junction Transistor – BJT), được thiết kế để thực hiện các chức năng khuếch đại tín hiệu và đóng cắt dòng điện trong các mạch điện tử.

Linh kiện có điện áp Collector-Emitter tối đa 45V, dòng Collector tối đa 100mA và hệ số khuếch đại dòng DC cao, phù hợp với những ứng dụng yêu cầu khuếch đại tín hiệu nhỏ, điều khiển và chuyển mạch công suất thấp.

BC850C sử dụng kiểu đóng gói SOT-23 gồm 3 chân, phù hợp với công nghệ lắp ráp bề mặt SMD. Ký hiệu trên thân linh kiện có thể gặp dạng 2GW, trong đó ký tự W có thể là mã nhận diện nhà máy sản xuất. Mã cơ bản theo quy ước của Nexperia là 2G kèm ký tự nhận diện.

Với kích thước nhỏ gọn, dòng rò thấp và khả năng khuếch đại tốt, BC850C được ứng dụng phổ biến trong các mạch xử lý tín hiệu, thiết bị âm thanh, mạch điều khiển và các hệ thống điện tử dân dụng, công nghiệp.

2. Đặc điểm của Transistor BC850C

• Là transistor lưỡng cực loại NPN.

• Điện áp Collector-Emitter tối đa 45V.

• Dòng Collector tối đa 100mA.

• Dòng Collector đỉnh tối đa 200mA.

• Hệ số khuếch đại dòng DC cao, nhóm C.

• Hệ số khuếch đại hFE từ 420 đến 800 tại điều kiện thử quy định.

• Có khả năng khuếch đại tín hiệu nhỏ.

• Phù hợp với các ứng dụng đóng cắt dòng điện thấp.

• Điện áp bão hòa Collector-Emitter thấp.

• Dòng rò Collector thấp.

• Tần số chuyển tiếp khoảng 100MHz.

• Công suất tiêu tán tối đa 250mW theo điều kiện lắp đặt quy định.

• Kích thước nhỏ gọn, tiết kiệm diện tích PCB.

• Kiểu đóng gói SOT-23 3 chân.

• Phù hợp với công nghệ lắp ráp bề mặt SMD.

3. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

BC850C được cấu tạo từ ba lớp bán dẫn theo cấu trúc N-P-N, tạo thành hai tiếp giáp P-N bên trong transistor.

Linh kiện gồm ba cực chính:

• Base (B): Cực điều khiển dòng điện.

• Collector (C): Cực thu dòng điện.

• Emitter (E): Cực phát dòng điện.

Trong chế độ khuếch đại, khi tiếp giáp Base-Emitter được phân cực thuận và tiếp giáp Base-Collector được phân cực ngược, transistor cho phép dòng điện chạy từ Collector đến Emitter.

Một dòng điện nhỏ đi vào cực Base có thể điều khiển dòng điện lớn hơn chạy qua Collector. Mối quan hệ giữa dòng Collector và dòng Base được biểu diễn gần đúng bằng công thức:

Trong đó:

• IC: Dòng điện Collector.

• IB: Dòng điện Base.

• hFE: Hệ số khuếch đại dòng điện DC.

Đối với BC850C, hệ số khuếch đại dòng cao giúp linh kiện phù hợp với các mạch khuếch đại tín hiệu có biên độ nhỏ.

Khi sử dụng ở chế độ đóng cắt, transistor hoạt động chủ yếu ở hai trạng thái:

• Trạng thái ngắt: Dòng Base không đủ để transistor dẫn, dòng Collector gần như bằng không.

• Trạng thái bão hòa: Transistor dẫn mạnh, điện áp giữa Collector và Emitter giảm xuống mức thấp.

Nhờ nguyên lý này, BC850C có thể được sử dụng để khuếch đại tín hiệu, điều khiển LED và đóng cắt các tải dòng nhỏ.

4. Thông số kỹ thuật Transistor BC850C

5. Kích thước Transistor BC850C SOT-23

6. Ứng dụng của Transistor BC850C

BC850C được sử dụng rộng rãi trong các mạch điện tử cần khuếch đại tín hiệu hoặc đóng cắt dòng điện thấp, bao gồm:

• Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ.

• Mạch khuếch đại âm thanh.

• Mạch tiền khuếch đại.

• Mạch khuếch đại tín hiệu cảm biến.

• Mạch xử lý tín hiệu analog.

• Mạch đóng cắt tín hiệu.

• Mạch điều khiển LED.

• Mạch điều khiển tải dòng nhỏ.

• Mạch điều khiển transistor công suất.

• Mạch giao tiếp vi điều khiển.

• Mạch điều khiển nguồn.

• Mạch tạo xung và dao động.

• Mạch chuyển đổi mức tín hiệu.

• Mạch điều khiển relay thông qua tầng công suất phù hợp.

• Thiết bị đo lường điện tử.

• Thiết bị truyền thông.

• Thiết bị âm thanh.

• Thiết bị điện tử dân dụng.

• Bo mạch điều khiển công nghiệp.

• Các thiết bị điện tử yêu cầu kích thước nhỏ gọn.

Transistor BC850C ký hiệu 2GW SOT-23 là transistor NPN có điện áp 45V, dòng điện 100mA và hệ số khuếch đại dòng cao từ 420 đến 800. Linh kiện phù hợp cho các ứng dụng khuếch đại tín hiệu nhỏ, xử lý tín hiệu analog và đóng cắt tải dòng thấp, giúp tiết kiệm diện tích PCB và đơn giản hóa thiết kế mạch điện tử.

DATASHET