IRFB3206G Mosfet Kênh N TO-220 60V 210A

Mô tả IRFB3206

• Chỉ định loại: IRFB3206
• Loại Transistor: MOSFET
• Loại kênh điều khiển: N -Channel
• Công suất tiêu tán tối đa (Pd): 300 W
• Điện áp nguồn xả tối đa |Vds|: 60 V
• Điện áp nguồn cổng tối đa |Vgs|: 20 V
• Điện áp ngưỡng cổng tối đa |Vgs(th)|: 4 V
• Dòng xả tối đa |Id|: 210 A
• Nhiệt độ tiếp giáp tối đa (Tj): 175 °C
• Tổng phí cổng (Qg): 120 nC
• Thời gian tăng (tr): 82 nS
• Điện dung nguồn thoát nước (Cd): 720 pF
• Điện trở trạng thái nguồn thoát tối đa (Rds): 0,003 Ohm
• Đóng gói: TO220AB

Đặc trưng

• Với bao bì TO-3P
• Chuyển đổi tốc độ cao
• Ổ đĩa cổng cấp tiêu chuẩn
• Dễ sử dụng
• Đã kiểm tra tuyết lở 100%
• Các biến thể từ lô này sang lô tối thiểu cho thiết bị mạnh mẽ hiệu suất và đáng tin cậy

Xem thêm: Các sản phẩm Mosfet khác

Hình ảnh sản phẩm

Thông số kỹ thuật của Mosfet IXTQ460P2

Sơ đồ chân

Kích thước của Mosfet IXTQ460P2

Datasheet IXTQ460P2