banlinhkiendientu.com là đơn vị chuyên cung cấp Mosfet IRF3710 tháo máy được trực tiếp các kĩ thuật lành nghề bên shop đo đạc, kiểm tra kỹ càng nhằm mang lại chất lượng sản phẩm tốt nhất cho quý khách hàng.
Giới thiệu
Sử dụng MOSFET công suất HEXFET ® nâng cao từ Bộ chỉnh lưu quốc tế kỹ thuật xử lý tiên tiến để đạt được điện trở cực thấp trên mỗi diện tích silicon. Lợi ích này, kết hợp với tốc độ chuyển đổi nhanh và thiết kế thiết bị chắc chắn mà MOSFET công suất HEXFE được nhiều người biết đến cung cấp cho người thiết kế một thiết bị cực kỳ hiệu quả và đáng tin cậy để sử dụng trong nhiều ứng dụng khác nhau.
Gói TO-220 được ưu tiên phổ biến cho tất cả các doanh nghiệp thương mại-công nghiệp các ứng dụng ở mức tiêu tán năng lượng đến khoảng 50 watt. Mức thấp khả năng chịu nhiệt và chi phí trọn gói thấp của TO-220 góp phần mở rộng phạm vi hoạt động của nó được chấp nhận trong toàn ngành.
Mô tả
- Chỉ định loại: IRF3710
- Loại Transistor: MOSFET
- Loại kênh điều khiển: N -Channel
- Công suất tiêu tán tối đa (Pd): 200 W
- Điện áp nguồn xả tối đa |Vds|: 100 V
- Điện áp nguồn cổng tối đa |Vgs|: 20 V
- Điện áp ngưỡng cổng tối đa |Vgs(th)|: 4 V
- Dòng xả tối đa |Id|: 57 A
- Nhiệt độ tiếp giáp tối đa (Tj): 175 °C
- Tổng phí cổng (Qg): 130 (tối đa) nC
- Thời gian tăng (tr): 58 nS
- Điện dung nguồn thoát nước (Cd): 410 pF
- Điện trở trạng thái nguồn thoát tối đa (Rds): 0,023 Ohm
- Đóng gói: TO220AB
Xem thêm: Các sản phẩm Mosfet khác
Hình ảnh sản phẩm
Thông số kỹ thuật của Mosfet IRF3710
Sơ đồ chân
Kích thước của Mosfet IRF3710
Datasheet IRF3710
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.