IRF8010 Mosfet kênh-N 80A/100V TO-220C

Giới thiệu

IRF8010 là MOSFET công suất kênh N trong gói TO-220. Dòng MOSFET công suất IR sử dụng các quy trình silicon đã được chứng minh cung cấp cho các nhà thiết kế danh mục thiết bị đa dạng để hỗ trợ các ứng dụng khác nhau như động cơ DC, biến tần, SMPS, chiếu sáng, công tắc tải cũng như các ứng dụng chạy bằng pin. Các gói lắp trên bề mặt và các gói xuyên lỗ với các footprint tiêu chuẩn công nghiệp dễ thiết kế.

Mô tả

• Chỉ định loại: IRF8010
• Loại Transistor: MOSFET
• Loại kênh điều khiển: N -Channel
• Công suất tiêu tán tối đa (Pd): 260 W
• Điện áp nguồn xả tối đa |Vds|: 100 V
• Điện áp nguồn cổng tối đa |Vgs|: 20 V
• Điện áp ngưỡng cổng tối đa |Vgs(th)|: 4 V
• Dòng xả tối đa |Id|: 80 A
• Nhiệt độ tiếp giáp tối đa (Tj): 175 °C
• Tổng phí cổng (Qg): 81 nC
• Thời gian tăng (tr): 130 nS
• Điện dung nguồn thoát nước (Cd): 480 pF
• Điện trở trạng thái nguồn thoát tối đa (Rds): 0,015 Ohm
• Đóng gói: TO220AB

Xem thêm: Các sản phẩm Mosfet khác

Hình ảnh sản phẩm

Thông số kỹ thuật của Mosfet IRF8010

Sơ đồ chân

Kích thước của Mosfet IRF8010