65E6600 IPA65R600E6 Mosfet kênh N 18A 700V TO-220 (tháo máy)

banlinhkiendientu.com chuyên cung cấp Transistor IPA65R600E6 hàng tháo máy được trực tiếp các kĩ thuật lành nghề bên shop đo đạc, kiểm tra kỹ càng nhằm mang lại chất lượng sản phẩm tốt nhất cho quý khách hàng.

Giới thiệu IPA65R600E6

CoolMOSTM là công nghệ mang tính cách mạng dành cho MOSFET điện áp cao, được thiết kế theo nguyên tắc superjunction (SJ) và đi tiên phong bởi Công nghệ Infineon. Dòng CoolMOSTM DE kết hợp trải nghiệm của nhà cung cấp SJ MOSFET hàng đầu với sự đổi mới cao cấp. Các thiết bị kết quả cung cấp tất cả các lợi ích của MOSFET SJ chuyển đổi nhanh trong khi không làm mất đi sự dễ dàng sử dụng. Tổn thất dẫn truyền và chuyển mạch cực kỳ thấp làm cho chuyển đổi các ứng dụng thậm chí còn hiệu quả hơn, nhỏ gọn hơn, nhẹ hơn và mát hơn.

Mô tả IPA65R600E6

• Chỉ định loại: IPA65R600E6
• Mã đánh dấu: 65E6600
• Loại Transistor: MOSFET
• Loại kênh điều khiển: N -Channel
• Tản điện tối đa (Pd): 28 W
• Điện áp nguồn xả tối đa |Vds|: 650 V
• Điện áp nguồn cổng tối đa |Vgs|: 20 V
• Điện áp ngưỡng cổng tối đa |Vgs(th)|: 3,5 V
• Dòng xả tối đa |Id|: 7,3 A
• Nhiệt độ tiếp giáp tối đa (Tj): 150 °C
• Tổng phí cổng (Qg): 23 nC
• Thời gian tăng (tr): 8 nS
• Điện dung nguồn thoát nước (Cd): 30 pF
• Điện trở trạng thái nguồn xả tối đa (Rds): 0,6 Ohm

Đặc trưng IPA65R600E6

• Tổn thất cực kỳ thấp do F O M R dson*Qg và E oss rất thấp
• Độ chắc chắn chuyển mạch rất cao
• Dễ sử dụng/lái xe
• JEDEC mạ đủ điều kiện, không chứa Pb, có sẵn trong hợp chất khuôn không chứa halogen

Ứng dụng IPA65R600E6

Các giai đoạn PFC, các giai đoạn PWM chuyển mạch cứng và các giai đoạn PWM chuyển mạch cộng hưởng ví dụ. Hộp bạc PC, Bộ điều hợp, TV LCD & PDP, Lightning, Máy chủ, Viễn thông và UPS.

Xem thêm: Các sản phẩm Transistor khác

Hình ảnh thực tế IPA65R600E6

Sơ đồ chân IPA65R600E6

Thông số kỹ thuật của Transistor IPA65R600E6

Kích thước của Transistor IPA65R600E6

Datasheet IPA65R600E6