Mosfet FDA28N50 28A 500V TO-3P Tháo máy

Giới thiệu về FDA28N50

FDA28N50 là transistor MOSFET kênh N hiệu suất cao, được thiết kế cho các ứng dụng công suất lớn như bộ nguồn chuyển mạch, mạch điều khiển động cơ và các hệ thống điện tử công nghiệp. Linh kiện này có khả năng chịu điện áp cao, dòng tải lớn và đóng cắt nhanh, mang lại hiệu quả và độ tin cậy cao trong vận hành.

Thông số kỹ thuật của FDA28N50

• Điện áp chịu được (Vds): 500V

• Dòng điện tối đa (Id): 28A tại Tc = 25°C

• Rds(on): 122mΩ tại Vgs = 10V, Id = 14A

• Tổng điện tích cổng (Qg): 80nC tại Vgs = 10V

• Điện áp ngưỡng cổng (Vgs(th)): 5V tại Id = 250µA

• Điện áp cổng tối đa (Vgs): ±30V

• Công suất tiêu tán tối đa: 310W tại Tc = 25°C

• Nhiệt độ hoạt động tối đa: 150°C

• Gói: TO-3PN

Ứng dụng của FDA28N50

• Bộ chuyển đổi nguồn DC-DC

• Nguồn điện công nghiệp

• Mạch điều khiển động cơ

• Nguồn điện cho các thiết bị công suất lớn

• Ứng dụng trong bộ nghịch lưu, UPS, xe điện

Sơ đồ chân của FDA28N50

Kích thước của FDA28N50

Xem thêm các MOSFET khác tại đây

Datasheet của FDA28N50