FDA28N50 Mosfet 28A 500V TO-3P Tháo máy

banlinhkiendientu.com là đơn vị chuyên cung cấp Mosfet FDA28N50 hàng tháo máy được trực tiếp các kĩ thuật lành nghề bên shop đo đạc, kiểm tra kỹ càng nhằm mang lại chất lượng sản phẩm tốt nhất cho quý khách hàng.

Giới thiệu FDA28N50

Các hiệu ứng trường năng lượng của chế độ nâng cao N-Channel này bóng bán dẫn được sản xuất bằng cách sử dụng công nghệ phẳng, độc quyền của Failchild. sọc, công nghệ DMOS. Công nghệ tiên tiến này đã được thiết kế đặc biệt để giảm thiểu điện trở trạng thái, cung cấp khả năng chuyển mạch vượt trội hiệu suất và chịu được xung năng lượng cao trong trận tuyết lở và chế độ chuyển mạch. Những thiết bị này rất phù hợp cho nhu cầu cao nguồn cung cấp năng lượng ở chế độ chuyển đổi hiệu quả và hệ số công suất hoạt động điều chỉnh.

Mô tả FDA28N50

• Chỉ định loại: FDA28N50
• Loại Transistor: MOSFET
• Loại kênh điều khiển: N -Channel
• Công suất tiêu tán tối đa (Pd): 310 W
• Điện áp nguồn xả tối đa |Vds|: 500 V
• Điện áp nguồn cổng tối đa |Vgs|: 30 V
• Điện áp ngưỡng cổng tối đa |Vgs(th)|: 5 V
• Dòng xả tối đa |Id|: 28 A
• Nhiệt độ tiếp giáp tối đa (Tj): 150 °C
• Tổng phí cổng (Qg): 80 nC
• Điện trở trạng thái nguồn thoát tối đa (Rds): 0,155 Ohm
• Đóng gói: TO3PN

Xem thêm: Các sản phẩm Mosfet khác

Hình ảnh thực tế FDA28N50

Sơ đồ cấu tạo FDA28N50

Thông số kỹ thuật của Mosfet FDA28N50

Kích thước của Mosfet FDA28N50

Datasheet FDA28N50