IRF730 Mosfet kênh N 5.5A 400V TO-220 (tháo máy)

Giới thiệu về IRF730

IRF730 là transistor MOSFET kênh N được thiết kế cho các ứng dụng công suất cao như mạch nguồn, điều khiển động cơ và các hệ thống điện tử công suất lớn. Linh kiện này có khả năng chịu điện áp cao, hoạt động ổn định và dễ lắp đặt với gói TO-220AB.

Thông số kỹ thuật của IRF730

• Điện áp chịu được (Vds): 400V

• Dòng điện tối đa (Id): 5.5A tại Vgs = 10V

• Rds(on): 1Ω tại Vgs = 10V, Id = 3A

• Tổng điện tích cổng (Qg): 24nC tại Vgs = 10V

• Điện áp ngưỡng cổng (Vgs(th)): 4V tại Id = 250µA

• Điện áp cổng tối đa (Vgs): ±20V

• Công suất tiêu tán tối đa: 100W

• Nhiệt độ hoạt động tối đa: 150°C

• Gói: TO-220AB

Ứng dụng của IRF730

• Dùng trong bộ chuyển đổi DC-DC

• Nguồn điện công nghiệp

• Mạch điều khiển động cơ

• Nguồn điện cho các thiết bị điện tử công suất lớn

Sơ đồ chân của IRF730

Kích thước của IRF730

Xem thêm các MOSFET khác tại đây

Datasheet của IRF730