Giới thiệu về G50N60
G50N60 là một Transistor Lưỡng cực Cổng Cách ly (IGBT) được thiết kế để cung cấp hiệu suất cao trong các ứng dụng công suất trung bình đến lớn. Mô-đun này có khả năng xử lý dòng điện lên đến 50A và điện áp định mức 600V, được đóng gói trong vỏ TO-3P.

Đặc điểm G50N60
- Hiệu suất chuyển mạch cao: Được thiết kế để giảm thiểu tổn thất năng lượng trong quá trình chuyển mạch, giúp nâng cao hiệu quả tổng thể của hệ thống.
- Khả năng chịu nhiệt tốt: Đảm bảo hoạt động ổn định trong các điều kiện nhiệt độ cao, giúp kéo dài tuổi thọ của mô-đun.
- Thiết kế mạnh mẽ: Gói TO-3P cung cấp độ bền cao và khả năng tản nhiệt vượt trội, bảo vệ mô-đun trong các môi trường làm việc khắc nghiệt.
Ứng dụng G50N60
- Nguồn cung cấp điện công nghiệp: Được sử dụng trong các hệ thống cung cấp điện công suất trung bình đến lớn, đòi hỏi độ tin cậy và hiệu suất cao.
- Điều khiển động cơ: Ứng dụng trong các hệ thống điều khiển động cơ công suất trung bình, giúp đảm bảo sự ổn định và hiệu quả trong vận hành.
- Biến tần: Sử dụng trong các hệ thống biến tần công suất trung bình, tối ưu hóa quá trình chuyển đổi năng lượng.
Thông số kĩ thuật G50N60
- Dòng điện định mức: 50 Ampe (A)
- Điện áp định mức: 600 Volt (V)
- Gói: TO-3P, cung cấp khả năng tản nhiệt tốt và độ bền cao, phù hợp cho các ứng dụng công suất lớn.

Sơ đồ chân G50N60

Kích thước G50N60




Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.