HY1710P Mosfet kênh N 70A 100V TO-220

Giới thiệu về HY1710P

HY1710P là transistor MOSFET kênh N được thiết kế cho các ứng dụng công suất cao, đặc biệt trong các mạch chuyển đổi nguồn, mạch điều khiển động cơ và các hệ thống điện tử công suất lớn. Với điện áp chịu đựng cao và hiệu suất tối ưu, linh kiện này rất phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu hiệu quả tản nhiệt tốt và độ bền cao. Gói TO-220FB giúp dễ dàng lắp đặt và đảm bảo tản nhiệt hiệu quả.

Thông số kỹ thuật của HY1710P

Điện áp chịu được (Vds): 100V
Dòng điện tối đa (Id): 70A
Rds(on): 18mΩ tại Vgs = 10V, Id = 35A
Tổng điện tích cổng (Qg): 94nC
Điện dung đầu vào (Ciss): 273pF
Điện áp ngưỡng cổng (Vgs(th)): 4V
Nhiệt độ hoạt động tối đa: 150°C
Công suất tiêu tán tối đa: 150W

Ứng dụng của HY1710P

Dùng trong bộ chuyển đổi DC-DC
Nguồn điện công nghiệp
Mạch điều khiển động cơ
Nguồn điện cho các thiết bị điện tử công suất lớn

Sơ đồ chân của HY1710P

Kích thước của HY1710P

Xem thêm các MOSFET khác tại đây

Datasheet của HY1710P