Giới thiệu IXTQ52N30P

IXTQ52N30P là một MOSFET kênh N công suất cao do hãng IXYS sản xuất. Được thiết kế cho các ứng dụng chuyển mạch yêu cầu dòng lớn và điện áp trung bình. Phù hợp sử dụng trong các hệ thống nguồn xung, inverter, điều khiển động cơ và thiết bị công nghiệp công suất cao.

Thông số kỹ thuật của IXTQ52N30P

• Loại: MOSFET kênh N (N-Channel)

• Điện áp Drain-Source (Vds): 300V

• Dòng Drain tối đa (Id): 52A

• Điện trở dẫn (Rds(on)): 0.073Ω

• Tổng điện tích cổng (Qg): 110nC

• Công suất tiêu tán: 400W

• Gói đóng gói: TO-3P hoặc TO-247

• Nhiệt độ hoạt động: -55°C đến +150°C

Ứng dụng của IXTQ52N30P

• Bộ nguồn chuyển mạch (SMPS)

• Bộ biến tần (Inverter)

• Mạch điều khiển động cơ AC/DC

• Hệ thống servo, robot công nghiệp

• Tải cảm ứng, tải công suất lớn

• Đèn LED công suất cao, ballast điện tử

Sơ đồ chân của IXTQ52N30P

Kích thước của IXTQ52N30P

Xem thêm các mosfet khác tại đây

Datasheet của IXTQ52N30P