IPB100N10S3-05 3PN1005 Mosfet kênh N TO-263

Giới thiệu IPB100N10S3-05

IPB100N10S3-05 là một MOSFET kênh N công suất cao do Infineon sản xuất, thuộc dòng OptiMOS™3. Linh kiện này nổi bật với điện trở dẫn thấp và hiệu suất chuyển mạch cao, phù hợp cho các ứng dụng như nguồn DC-DC, mô-đun nguồn, và các thiết bị công suất cao.

Thông số kỹ thuật của IPB100N10S3-05

• Loại: MOSFET kênh N (N-Channel)

• Điện áp Drain-Source (Vds): 100V

• Dòng Drain tối đa (Id): 100A

• Điện trở dẫn (Rds(on)): 5.3mΩ @ Vgs = 10V

• Tổng điện tích cổng (Qg): ~140nC

• Công suất tiêu tán: 300W

• Gói đóng gói: D2PAK (TO-263)

• Nhiệt độ hoạt động: -55°C đến +175°C

Ứng dụng của IPB100N10S3-05

• Bộ nguồn chuyển mạch (SMPS)

• Bộ điều khiển mô-tơ

• Nguồn DC-DC

• Hệ thống phân phối điện trên ô tô

• Các mạch tải công suất cao và hệ thống công nghiệp

Sơ đồ chân của IPB100N10S3-05

Kích thước của IPB100N10S3-05

Xem thêm các mosfet khác tại đây

Datasheet của IPB100N10S3-05