IR2111, IR2111PBF IC Điều Khiển MOS DIP-8

Giới thiệu về IC IR2111

IR2111 là trình điều khiển powerMOSFET và IGBT điện áp cao, tốc độ cao với các kênh đầu ra tham chiếu phụ thuộc phía cao và thấp được thiết kế cho các ứng dụng cầu nửa. Công nghệ CMOS HVIC độc quyền và latchimmune cho phép xây dựng nguyên khối chắc chắn. Đầu vào logic tương thích với đầu ra CMOS tiêu chuẩn. Trình điều khiển đầu ra có một tầng đệm dòng xung cao được thiết kế để giảm thiểu dẫn truyền chéo trình điều khiển. Thời gian chết bên trong được cung cấp để tránh hiện tượng bắn xuyên qua cầu nửa đầu ra. Kênh nổi có thể được sử dụng để điều khiển MOSFET hoặc IGBT công suất kênh N trong cấu hình phía cao hoạt động lên đến 600V.

Đặc trưng kỹ thuật 

• Kênh nổi được thiết kế cho hoạt động khởi động
  Hoạt động hoàn toàn ở +600V
  Chịu được điện áp xung âm
  Miễn nhiễm dV/dt
• Phạm vi cung cấp ổ cổng từ 10 đến 20V
• Khóa điện áp thấp cho cả hai kênh
• Đầu vào kích hoạt Schmitt CMOS với pull-down
• Độ trễ lan truyền phù hợp cho cả hai kênh
• Thời gian chết được thiết lập bên trong
• Đầu ra phía cao cùng pha với đầu vào
• Cũng có loại KHÔNG CHÌ

Thông số kỹ thuật

Sơ đồ khối

Sơ đồ chân

 

Ứng dụng

Kích thước IC IR2111

Xem thêm: Nhiều sản phẩm IC chuyên dụng khác

Datasheet IR2111