Giới thiệu chung K50H603 IGBT
K50H603 là mã đánh dấu của linh kiện IKW50N60H3, một transistor hiệu ứng trường lưỡng cực cách ly (IGBT) với điện áp cực đại 600V và dòng điện cực đại 50A. Linh kiện này sử dụng công nghệ TRENCHSTOP™ 3 của Infineon, mang lại hiệu suất chuyển mạch cao và tổn hao thấp, phù hợp cho các ứng dụng công suất lớn như bộ nguồn không gián đoạn (UPS), máy hàn công nghiệp và các bộ chuyển đổi tần số cao.
Tính năng nổi bật K50H603 IGBT
-
Công nghệ TRENCHSTOP™ 3: Mang lại điện áp bão hòa thấp, giảm tổn hao khi dẫn dòng và cải thiện hiệu suất chuyển mạch.
-
Dòng điện cực đại 50A: Phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu dòng điện lớn.
-
Điện áp cực đại 600V: Đáp ứng tốt cho các thiết kế hoạt động ở lưới điện AC.
-
Nhiệt độ tiếp giáp tối đa 175°C: Cho phép hoạt động ổn định trong môi trường nhiệt độ cao.
-
Điện tích cổng thấp: Giảm tiêu thụ công suất ở tầng điều khiển (gate drive).
-
Thời gian chuyển mạch nhanh: Phù hợp với tần số cao, giúp tăng hiệu suất tổng thể của hệ thống.
Sơ đồ chân K50H603 IGBT
Thông số kỹ thuật K50H603 IGBT
Kích thước K50H603 IGBT
Xem thêm sản phẩm IGBT tại đây
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.