11N60C3, SPP11N60C3 Mosfet Kênh-N 11A 600V chân TO-247 tháo máy

Giới thiệu chung 11N60C3

11N60C3 hay SPP11N60C3 là loại MOSFET kênh N, điện áp cao, dòng tải trung bình. Linh kiện này thường được sử dụng trong các ứng dụng chuyển mạch nguồn như nguồn xung (SMPS), inverter, mạch công suất, điện tử dân dụng và công nghiệp.

Đây là sản phẩm của Infineon Technologies, được sản xuất theo công nghệ CoolMOS™ C3 – cải tiến giúp giảm tổn hao và tăng hiệu suất chuyển mạch.

Sơ đồ chân 11N60C3

Đặc điểm nổi bật 11N60C3

• Hiệu suất cao: Nhờ công nghệ Superjunction (CoolMOS™), 11N60C3 cho hiệu suất cao hơn các MOSFET thông thường.

• Tổn hao thấp: Rds(on) thấp giúp giảm sinh nhiệt và tổn hao điện năng.

• Khả năng chịu điện áp cao: Vds tối đa lên tới 600V, phù hợp với mạch nguồn cao áp.

• Dòng tải lớn: Có thể dẫn dòng liên tục lên đến 11A, phù hợp với tải công suất trung bình đến cao.

• Khả năng chuyển mạch nhanh: Thời gian chuyển mạch thấp giúp cải thiện hiệu suất mạch xung.

• Độ tin cậy cao: Hoạt động ổn định trong môi trường nhiệt độ khắc nghiệt từ -55°C đến 150°C.

Thông số kỹ thuật của Mosfet 11N60C3

Cách đo MOSFET 11N60C3

Dụng cụ: Đồng hồ vạn năng (có chế độ đo diode)

Các bước kiểm tra:

1. Chuyển đồng hồ sang thang đo diode.

2. Kiểm tra giữa Gate và Source: không nên có dẫn điện theo cả hai chiều.

3. Kiểm tra giữa Drain và Source:

   • Khi chưa cấp điện cho Gate: MOSFET không dẫn.

   • Khi cấp điện dương vào Gate (chạm vào cực dương pin hoặc qua đồng hồ): Drain – Source dẫn điện.

4. Xả điện ở Gate (chạm đồng thời Gate và Source): MOSFET trở lại trạng thái không dẫn.

Nếu MOSFET luôn dẫn hoặc không dẫn dù đã cấp Gate → có thể đã hỏng.

Kích thước của Mosfet 11N60C3

Xem thêm các mã Mosfet khác tại đây

Datasheet 11N60C3