GIỚI THIỆU CHI TIẾT
FGA15N120 là một transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) công suất cao, chịu dòng 15A và điện áp lên đến 1200V, đóng gói theo chuẩn TO-3P. Đây là dòng IGBT thường dùng trong các mạch nghịch lưu, inverter, nguồn cao tần, bộ điều khiển động cơ. Phiên bản tháo máy nghĩa là đã qua sử dụng trong thiết bị công nghiệp, nhưng vẫn còn khả năng hoạt động tốt.
KHÁI NIỆM FGA15N120
-
Là IGBT loại N-channel, kết hợp giữa MOSFET và BJT để đạt hiệu suất đóng cắt cao với tổn hao thấp.
-
Được thiết kế để chuyển mạch nhanh, chịu dòng và áp lớn, chuyên dùng cho mạch công suất.
-
Kiểu chân TO-3P tản nhiệt tốt, dễ lắp ráp lên tản nhôm.
Sơ đồ chân FGA15N120

THÔNG SỐ KỸ THUẬT FGA15N120

NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG
-
Khi có xung điều khiển trên chân gate (G), IGBT dẫn dòng từ collector (C) sang emitter (E).
-
Tắt xung → IGBT ngắt dẫn → ngắt dòng qua tải.
-
Hoạt động như công tắc tốc độ cao, tổn hao thấp hơn BJT truyền thống trong ứng dụng công suất.
CHỨC NĂNG
-
Đóng cắt tải công suất cao trong các mạch AC và DC
-
Điều khiển xung PWM trong inverter, biến tần
-
Nghịch lưu dòng cho động cơ hoặc nguồn cao tần
-
Giảm tổn hao khi chuyển mạch, tăng hiệu suất hệ thống điện công nghiệp
ỨNG DỤNG
-
Bộ biến tần (inverter), UPS, nguồn xung cao áp
-
Làm cầu H hoặc bán cầu điều khiển động cơ AC/DC.
-
-
Mạch điều khiển mô-tơ, servo công nghiệp
-
Đóng ngắt dòng tải lớn, đáp ứng nhanh.
-
-
Máy hàn điện tử, máy plasma, máy CNC
-
Dùng để tạo dòng xung mạnh và ổn định.
-
-
Bộ kích điện năng lượng mặt trời, sạc công suất lớn
-
Hiệu suất cao, chịu dòng tốt trong điều kiện môi trường khắt khe.
-
Kích thước FGA15N120





Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.