Giới thiệu chung
G4PC50FD là IGBT công suất cao của IR/Infineon, loại N-channel, tích hợp sẵn diode hồi tiếp (anti-parallel diode) bên trong. Linh kiện này được thiết kế cho các ứng dụng yêu cầu điện áp trung bình (600V), dòng lớn (70A) và khả năng chuyển mạch tốt.
Vỏ TO-247 cho khả năng tản nhiệt mạnh, phù hợp môi trường công suất nặng như inverter, biến tần và bộ nguồn công nghiệp.

Đặc điểm nổi bật
– IGBT loại N-channel, điều khiển bằng điện áp (MOS-gated).
– Tích hợp diode hồi tiếp nhanh, giảm tổn hao và nhiễu khi chuyển mạch.
– Chịu dòng cao, điện áp cao, phù hợp tải công suất lớn.
– Tổn hao dẫn thấp, VCE(sat) thấp giúp giảm nhiệt và tăng hiệu suất.
– Package TO-247 chuẩn công nghiệp, dễ gắn heatsink.
– Rất phù hợp ứng dụng switching tần số trung bình đến cao.
Cấu tạo
– 3 chân: Gate – Collector – Emitter.
– Tab tản nhiệt phía sau nối với Collector.
– Cấu trúc MOSFET điều khiển + tầng BJT công suất (đặc trưng của IGBT).
– Diode hồi tiếp nối ngược giữa Collector và Emitter, dùng trong mạch cầu/inverter.
Thông số kỹ thuật chính

Kích thước

Ứng dụng
– Bộ nghịch lưu (inverter) và biến tần điều khiển động cơ
– Mạch PFC công suất
– Bộ nguồn xung công nghiệp (SMPS)
– UPS, ổn áp công nghiệp, máy hàn điện tử
– Bộ chuyển đổi năng lượng tái tạo (solar inverter)
– Mạch công suất cần IGBT chịu điện áp 600V và dòng lớn 70A
Xem thêm các mã IGBT khác tại đây



Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.