Giới thiệu chi tiết IGBT H15R120
H15R1202 là transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) hiệu suất cao do Infineon Technologies sản xuất. Thiết bị này được thiết kế cho các ứng dụng công suất trung bình đến cao như bếp từ, biến tần, bộ nguồn chuyển đổi, và các hệ thống điều khiển động cơ.
Tính năng nổi bật IGBT H15R120
-
Công nghệ Trench + Fieldstop: Tối ưu hiệu suất chuyển mạch và giảm tổn hao năng lượng.
-
Diode tích hợp chất lượng cao: Tăng độ tin cậy trong các ứng dụng chuyển mạch nghịch.
-
Chịu nhiệt tốt: Hoạt động ổn định trong môi trường nhiệt độ cao.
-
Điện áp cao, dòng lớn: Phù hợp với các thiết bị công suất lớn.
-
Khả năng đóng cắt nhanh: Phù hợp với các bộ biến tần và mạch cao tần.
Ứng dụng tiêu biểu IGBT H15R120
-
Bếp điện từ (Induction Cooker)
-
Bộ nghịch lưu (Inverter)
-
Biến tần điều khiển động cơ
-
Bộ nguồn xung (SMPS)
-
Thiết bị công nghiệp sử dụng chuyển mạch nhanh
Sơ đồ chân IGBT H15R120
Thông số kỹ thuật IGBT H15R120
Kích thước IGBT H15R120
Xem thêm sản phẩm IGBT tại đây
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.