H30PR5 IHW30N135R5 IGBT 30A 1200V TO-247( tháo máy)

Giới thiệu chung 

H30PR5 là một IGBT công suất cao (Insulated Gate Bipolar Transistor). Đây là linh kiện bán dẫn hiện đại, kết hợp giữa đặc tính đóng cắt nhanh của MOSFET và khả năng chịu dòng lớn của transistor lưỡng cực, chuyên dùng trong các hệ thống yêu cầu đóng ngắt dòng cao và điện áp lớn.

Đặc điểm nổi bật

• Dòng chịu tải cao lên đến 30A và điện áp chịu đựng tới 1350V, phù hợp cho các ứng dụng công suất lớn.

• Công nghệ trench/field-stop giúp giảm tổn hao dẫn và tổn hao chuyển mạch, cho hiệu suất cao hơn.

• Thời gian đóng cắt nhanh, giúp giảm tổn hao chuyển mạch và phát nhiệt thấp hơn.

• Được tối ưu hóa cho ứng dụng tần số trung bình (15~30kHz), thích hợp với các bộ nghịch lưu, biến tần, UPS,…

• Khả năng làm việc tốt ở nhiệt độ cao với độ tin cậy lâu dài.

Cấu tạo

• Là IGBT đơn, tích hợp thêm diode thuận (freewheeling diode) nội.

• Có ba chân: Collector, Emitter và Gate.

• Đóng gói theo chuẩn TO-247, cho phép tản nhiệt tốt và lắp ráp dễ dàng vào hệ thống tản nhiệt.

Sơ đồ chân và sơ đồ cấu tạo 

Thông số kỹ thuật chính

Kích thước

Ứng dụng

• Biến tần điều khiển động cơ công nghiệp AC/DC

• Bộ chuyển đổi DC-DC và DC-AC

• UPS (bộ lưu điện) và bộ nguồn công suất cao

• Nguồn hàn (welding inverter)

• Hệ thống năng lượng tái tạo: năng lượng mặt trời, gió

• Bộ kích điện công suất lớn, máy công nghiệp yêu cầu đóng cắt nhanh và hiệu suất cao

Datasheet