IRF2805 MOSFET kênh N TO-220 tháo máy

Giới thiệu chung 

IRF2805 là một MOSFET kênh N công suất cao, được thiết kế để đáp ứng các ứng dụng đòi hỏi dòng điện lớn và hiệu suất dẫn điện tối ưu.
Linh kiện này thường được sử dụng trong mạch nguồn chuyển mạch, bộ điều khiển động cơ và các hệ thống điện tử công nghiệp nhờ khả năng chịu dòng cao, điện trở dẫn thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh, giúp giảm tổn hao năng lượng và nhiệt lượng.

Đặc điểm

• Là MOSFET kênh N, sử dụng công nghệ HEXFET của International Rectifier.

• Điện trở dẫn Rds(on) rất thấp, giúp giảm tổn hao công suất.

• Khả năng chịu dòng xung cao, phù hợp cho tải nặng.

• Điện áp kích cổng thấp, tương thích với điều khiển logic mức thấp.

• Độ tin cậy cao, hoạt động tốt trong môi trường khắc nghiệt.

Cấu tạo

• Gồm ba cực chính: Gate (G), Drain (D) và Source (S).

• Kết cấu bán dẫn MOSFET kênh N với lớp cách điện giữa cổng và kênh dẫn.

• Vỏ đóng gói dạng TO-220 giúp tản nhiệt hiệu quả.

Sơ đồ cấu tạo

Thông số kĩ thuật 

Kích thước

Ứng dụng

• Mạch nguồn xung (SMPS) và bộ nghịch lưu.

• Mạch điều khiển động cơ DC và servo.

• Bộ chuyển đổi DC-DC công suất cao.

• Mạch UPS, inverter năng lượng mặt trời.

• Các thiết bị điện tử công nghiệp yêu cầu công suất và hiệu suất cao.

Datasheet