Giới thiệu chung
IRF520 là một MOSFET kênh N điện áp cao, được thiết kế để xử lý các tải điện công suất vừa với khả năng chịu điện áp lên tới 100V và dòng dẫn liên tục 10A. Với vỏ TO-220 dễ lắp đặt và tản nhiệt tốt, IRF520 là lựa chọn phổ biến trong các ứng dụng điện tử như điều khiển tải DC, mạch nguồn xung, và điều khiển logic PWM.
Đặc điểm
-
MOSFET kênh N hiệu suất cao, đóng/ngắt nhanh
-
Điện áp Drain-Source tối đa 100V, dòng dẫn tối đa 10A
-
Điện trở mở thấp RDS(on), giúp giảm nhiệt lượng tỏa ra
-
Vỏ TO-220 ba chân (G–D–S), dễ hàn và dễ lắp tản nhiệt
-
Thích hợp với điều khiển bằng tín hiệu logic mức cao (≥10V)
-
Phổ biến, dễ thay thế, giá thành thấp
Ứng dụng
-
Điều khiển tải DC: quạt, mô-tơ, đèn LED, relay
-
Mạch điều khiển công suất bằng vi điều khiển (Arduino, ESP, STM32…)
-
Bộ nguồn xung, bộ chuyển đổi DC-DC, inverter nhỏ
-
Dự án học tập, DIY điện tử công suất
-
Mạch công nghiệp, thiết bị điện tử dân dụng công suất nhỏ đến vừa
Thông số kỹ thuật
-
Mã linh kiện: IRF520
-
Loại: N-Channel MOSFET
-
Điện áp Drain-Source (VDS): 100V
-
Dòng Drain liên tục (ID): 9.2A – 10A
-
RDS(on): khoảng 0.27 Ohm @ VGS = 10V
-
Kiểu vỏ: TO-220, 3 chân tiêu chuẩn
-
Công suất tiêu tán: ~40W (kèm tản nhiệt)
-
Nhiệt độ hoạt động: -55°C đến +175°C
Kích thước
Xem thêm một số sản phẩm MOSFET tại đây
DATASHEET
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.