IRF630 Mosfet Kênh-N 9.3A/200V TO-220

Giới thiệu chung

IRF630 là một MOSFET kênh-N công suất cao được thiết kế để hoạt động hiệu quả trong các mạch điều khiển tải điện áp cao và dòng vừa. Với khả năng chịu điện áp lên đến 200V và dòng dẫn liên tục 9.3A, IRF630 được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng như điều khiển động cơ, bộ nguồn xung (SMPS), inverter, và các hệ thống công suất. Linh kiện này được đóng gói theo chuẩn TO-220, giúp dễ dàng lắp đặt và tản nhiệt tốt, phù hợp cho cả mục đích học tập lẫn sử dụng trong công nghiệp.

Đặc điểm nổi bật:

• MOSFET kênh-N, chịu điện áp cao

• Dòng dẫn lớn lên tới 9.3A

• Điện áp Drain–Source tối đa đạt 200V

• Tốc độ chuyển mạch nhanh, tổn hao thấp

• Trở kháng dẫn (Rds(on)) thấp, tăng hiệu suất mạch

• Đóng gói TO-220 với khả năng tản nhiệt tốt

Cấu tạo:

• Cấu trúc bán dẫn MOSFET kênh-N với công nghệ tiên tiến (VDMOS hoặc tương đương)

• Ba chân: Gate (G) – điều khiển; Drain (D) – cực vào tải; Source (S) – cực nối đất

• Đóng gói TO-220, có lỗ bắt vít để gắn vào bộ tản nhiệt

• Vật liệu silicon chịu nhiệt và dòng cao, cấu trúc chắc chắn

Sơ đồ chân IRF630

Sơ đồ cấu tạo IRF630

Ứng dụng:

• Bộ chuyển đổi điện áp (DC-DC, inverter)

• Mạch nguồn xung (SMPS)

• Mạch điều khiển tải điện áp cao

• Điều khiển động cơ DC, điều tốc, PWM

• Hệ thống năng lượng tái tạo (năng lượng mặt trời, tuabin gió)

• Thiết bị điện công nghiệp, robot, điều khiển tự động

Thông số kỹ thuật:

Kích thước IRF630

Xem thêm các Mosfet khác tại đây 

Datasheet IRF630