IXGH30N60BD1 IGBT 60A 600V TO-247 THÁO MÁY

Giới thiệu chung

• IXGH30N60BD1 là một transistor IGBT công suất cao do hãng IXYS sản xuất.

• Kết hợp ưu điểm điều khiển điện áp của MOSFET và khả năng chịu dòng lớn của BJT.

• Đóng gói theo chuẩn TO-247 với khả năng tản nhiệt tốt.

Đặc điểm nổi bật

• Dòng điện cực đại: 60A

• Điện áp cực đại: 600V

• Tích hợp diode chống dòng ngược (Freewheeling Diode)

• Công nghệ HDMOS™ của IXYS – hiệu suất cao

• Chuyển mạch nhanh, tổn hao thấp

• Hoạt động ổn định ở tần số trung bình và cao

Thông số kỹ thuật chính

• Vces (Điện áp Collector-Emitter tối đa): 600V

• Ic (Dòng Collector liên tục): 60A

• Icm (Dòng Collector xung): lên đến khoảng 120A (tùy điều kiện)

• Vge (Điện áp Gate-Emitter): ±20V

• Nhiệt độ hoạt động: -55°C đến 150°C

• Nhiệt trở nối – vỏ (RthJC): khoảng 0.4 °C/W

• Tổng điện tích cổng (Qg): khoảng 240nC

• Thời gian bật (t_on): ~100ns

• Thời gian tắt (t_off): ~200ns

 Ứng dụng phổ biến

• Biến tần điều khiển động cơ AC

• Bộ nghịch lưu (Inverters)

• Bộ nguồn xung (SMPS)

• Bộ lưu điện UPS

• Thiết bị hàn điện tử

• Hệ thống năng lượng mặt trời hoặc điện gió

Sơ đồ chân

Kích thước 

Xem thêm những IGBT khác tại đây

Datasheet IXGH 30N60BD1