J112G, MJD112G Transistor NPN 2A/100V/20W TO-252

banlinhkiendientu.com chuyên cung cấp Transistor MJD112G, với chất lượng tốt và giá cả hợp lý đảm bảo cung cấp số lượng lớn đáp ứng nhu cầu của mọi khách hàng.

Đặc trưng

• Chỉ định loại: MJD112G
• Mã bóng bán dẫn SMD: J112G
• Chất liệu Transistor: Si
• Phân cực: NPN
• Tản điện tối đa của bộ thu (Pc): 20 W
• Điện áp cơ sở Collector tối đa |Vcb|: 100 V
• Điện áp cực thu-phát tối đa |Vce|: 100 V
• Điện áp cơ sở bộ phát tối đa |Veb|: 5 V
• Dòng thu tối đa |Ic max|: 2 A
• Tối đa. Nhiệt độ điểm nối hoạt động (Tj): 150 ° C
• Tần số chuyển tiếp (ft): 25 MHz
• Điện dung thu (Cc): 100 pF
• Tỷ lệ chuyển tiếp hiện tại (hFE), MIN: 1000
• Hệ số tiếng ồn, dB: –
• Đóng gói: TO-252

Xem thêm: Các sản phẩm Transistor khác

Hình ảnh thực tế MJD112G

Sơ đồ chân MJD112G

Thông số kỹ thuật của Transistor MJD112G

Kích thước của Transistor MJD112G

Datasheet MJD112G