K25N120 IGBT 25A 1200V TO-247 Tháo máy

Giới thiệu chung

K25N120 là IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) kênh N, được thiết kế để kết hợp ưu điểm của MOSFET (điều khiển nhanh, điện trở thấp) và transistor lưỡng cực (khả năng chịu dòng cao). Đây là loại IGBT công suất cao, chuyên dùng trong các thiết bị điện công nghiệp.

Đặc điểm nổi bật

– Là IGBT kênh N, điều khiển bằng điện áp như MOSFET nhưng dẫn dòng mạnh như BJT.
– Có thể chịu điện áp lên tới 1200V và dòng định mức 25A.
– Hoạt động hiệu quả ở tần số trung bình–cao, rất phù hợp cho biến tần, máy hàn, UPS, bộ kích điện.
– Vỏ TO-247 3 chân: Collector – Gate – Emitter, dễ lắp đặt và tản nhiệt.

Sơ đồ chân và sơ đồ cấu tạo

Thông số kỹ thuật cơ bản

Kích thước

Ứng dụng 

– Biến tần (inverter) cho motor công nghiệp
– Máy hàn điện tử, máy plasma
– UPS, bộ lưu điện
– Bộ kích điện năng lượng mặt trời (solar inverter)
– Bộ nguồn công suất lớn, điều khiển servo, tủ điện

Datasheet