K30N60 IGBT 600V 30A TO-247 tháo máy

GIỚI THIỆU CHUNG K30N60:

K30N60 là một transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) kênh N, thường được sản xuất bởi Infineon Technologies. Đây là một linh kiện công suất được thiết kế để chuyển mạch nhanh và hiệu quả trong các ứng dụng điện tử công suất trung bình.

Đặc điểm chính (thường gặp):

• Loại linh kiện: IGBT kênh N (N-Channel IGBT). Một số phiên bản có thể sử dụng công nghệ NPT (Non-Punch Through).
• Điện áp Collector-Emitter tối đa (VCES​): Thường là 600V.
• Dòng điện Collector liên tục (IC​): Thường là 30A (ở Tc = 100°C), có thể cao hơn ở nhiệt độ thấp hơn (ví dụ 41A ở Tc = 25°C).
• Kiểu chân: Thường là TO-247, một kiểu chân phổ biến cho các linh kiện công suất, giúp tản nhiệt tốt. Cũng có thể gặp kiểu chân TO-3P ở một số biến thể.
• Điện áp bão hòa Collector-Emitter (VCE(sat)​): Thường thấp, giúp giảm tổn thất dẫn điện. Giá trị này thay đổi tùy theo dòng điện Collector và điện áp Gate-Emitter (tham khảo datasheet).
• Tốc độ chuyển mạch: Được thiết kế để có tốc độ chuyển mạch nhanh, phù hợp cho nhiều ứng dụng. Một số dòng sản phẩm như HighSpeed 3 của Infineon (ví dụ IKW30N60H3) có tốc độ chuyển mạch rất cao.
• Diode tích hợp: Nhiều phiên bản của K30N60 có diode phục hồi nhanh (Fast Recovery Diode) tích hợp giữa Collector và Emitter, giúp cải thiện hiệu suất trong các ứng dụng cầu và инвертор.
• Ứng dụng tiêu biểu: Thường được sử dụng trong các bộ nguồn xung (SMPS), mạch điều khiển động cơ, инвертор (cho năng lượng mặt trời, UPS), mạch hàn điện, và các ứng dụng chuyển mạch công nghiệp khác.

SƠ ĐỒ CHÂN K30N60:

NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA IGBT (Tổng Quan)

• Kết hợp đặc tính điều khiển bằng điện áp của MOSFET và khả năng chịu dòng lớn, điện áp bão hòa thấp của BJT.
• Điều khiển dòng điện Collector-Emitter (IC​) thông qua điện áp Gate-Emitter (VGE​).
• Khi VGE​ vượt quá điện áp ngưỡng (VGE(th)​), IGBT bắt đầu dẫn điện.
• Dòng điện IC​ tăng theo VGE​ và điện áp Collector-Emitter (VCE​).
• Có điện áp bão hòa VCE(sat)​ khi IGBT dẫn điện.

THÔNG SỐ KĨ THUẬT:

CHỨC NĂNG CỦA K30N60 IGBT KÊNH N 600V 30A 

• Chuyển mạch (Switching) công suất:
  • Đóng/mở mạch điện nhanh chóng cho dòng điện lên đến 30A và điện áp 600V.
  • Thích hợp cho các ứng dụng chuyển mạch tần số trung bình đến cao với tổn thất thấp.
• Điều khiển công suất:
  • Điều khiển dòng điện và điện áp trong các mạch công suất.
  • Sử dụng trong điều khiển động cơ, bộ điều chỉnh điện áp.
• Tạo xung:
  • Tạo ra các xung điện trong các ứng dụng инвертор và nguồn.

ỨNG DỤNG THỰC TẾ CỦA K30N60 IGBT KÊNH N 600V 30A (TO-247)

• Bộ nguồn xung (SMPS).
• Mạch điều khiển động cơ (Motor Control)
• Mạch hàn điện инвертор (Inverter Welding Machines).
• Các ứng dụng chuyển mạch công nghiệp (Industrial Switching Applications).

LƯU Ý KHI SỬ DỤNG K30N60 IGBT KÊNH N 600V 30A (TO-247 hoặc TO-3P)

• Tham khảo Datasheet:
  • Luôn tìm và đọc kỹ datasheet của nhà sản xuất (Infineon) để có thông số kỹ thuật chính xác và đầy đủ.
• Cẩn thận với tĩnh điện (ESD):
  • IGBT nhạy cảm với tĩnh điện, cần sử dụng các biện pháp bảo vệ khi thao tác.
• Điều khiển Gate:
  • Sử dụng mạch điều khiển Gate phù hợp để đảm bảo tốc độ chuyển mạch tối ưu và tránh quá áp hoặc thiếu áp.
• Tản nhiệt:
  • Gắn IGBT vào tản nhiệt phù hợp với công suất tiêu thụ và dòng điện hoạt động để tránh quá nhiệt. Đảm bảo tiếp xúc nhiệt tốt.
• Không vượt quá định mức:
  • Tuân thủ nghiêm ngặt các thông số điện áp và dòng điện tối đa được chỉ định trong datasheet.
• Điện áp điều khiển Gate:
  • Sử dụng điện áp Gate nằm trong phạm vi quy định (thường +/- 20V).
• Bảo vệ mạch:
  • Sử dụng các biện pháp bảo vệ quá dòng, quá áp để bảo vệ IGBT và các linh kiện khác trong mạch.
• Tối ưu hóa chuyển mạch:
  • Thiết kế mạch để giảm thiểu tổn thất chuyển mạch, đặc biệt quan trọng trong các ứng dụng tần số cao.

KÍCH THƯỚC:

Xem thêm các IGBT khác tại đây

DATASHEET: