MG50Q2YK1 Module IGBT 1200V 50A tháo máy

1. Giới thiệu

MG50Q2YK1 là mô đun IGBT công suất cao, được thiết kế để sử dụng trong các bộ biến tần, bộ nghịch lưu, bộ nguồn UPS và các hệ thống điều khiển động cơ. Thiết bị này có khả năng chịu điện áp đến 1200 vôn và dòng định mức 50 ampe. Mô đun tích hợp hai transistor IGBT trong cùng một khối, cho phép cấu hình dạng cầu nửa, giúp giảm tổn hao, tăng hiệu suất và đảm bảo độ tin cậy cao trong môi trường làm việc công nghiệp.

2. Đặc điểm

• Mô đun IGBT công suất cao, cấu hình hai transistor trong cùng gói

• Điện áp chịu đựng tối đa 1200 vôn

• Dòng làm việc định mức 50 ampe

• Điện áp điều khiển cổng ±20 vôn

• Tổn hao dẫn thấp, chuyển mạch nhanh

• Thiết kế gắn tản nhiệt dễ dàng, giảm nhiệt độ vận hành

• Độ tin cậy cao, phù hợp cho môi trường công nghiệp

• Dễ lắp đặt, bảo trì và thay thế

3. Thông số kỹ thuật

• Điện áp cực đại: 1200 vôn

• Dòng cực đại: 50 ampe

• Dòng xung cực đại: 100 ampe

• Điện áp điều khiển cổng: ±20 vôn

• Điện áp rơi trung bình khi dẫn: khoảng 2 vôn ở điều kiện dòng 50 ampe

• Nhiệt độ làm việc: từ âm 40 đến dương 150 độ C

• Nhiệt độ bảo quản: từ âm 40 đến dương 125 độ C

• Cấu hình: hai IGBT dạng cầu nửa

• Kiểu vỏ: mô đun công suất gắn tản nhiệt bằng vít

4. Ứng dụng

• Bộ biến tần điều khiển động cơ xoay chiều hoặc servo

• Bộ nguồn lưu điện UPS

• Bộ nghịch lưu và chỉnh lưu trong hệ thống năng lượng tái tạo như điện mặt trời, điện gió

• Nguồn xung công suất cao trong thiết bị công nghiệp

• Bộ điều khiển tốc độ động cơ, robot công nghiệp, máy CNC

Xem thêm: Nhiều sản phẩm IGBT khác