Đặc trưng MJE182G
- Được thiết kế cho bộ khuếch đại âm thanh công suất thấp và chuyển mạch tốc độ cao, dòng điện thấp
- Điện áp duy trì Collector-Emitter — VCEO(sus) =80 Vd
- hFE= 30 (Tối thiểu) @IC = 0,5 Adc, hFE= 12 (Tối thiểu) @ IC= 1,5 Adc
- fT=50 MHz(Tối thiểu)@ IC= 100 mAdc
- ICBO= 100 nA (Tối đa)Kích thước
Xem thêm: Các sản phẩm Transistor khác
Hình ảnh thực tế của MJE182G
Thông số kỹ thuật của Transistor MJE182G
Kích thước của Transistor MJE182G
Datasheet MJE182G
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.