JE253G, MJE253G Transistor PNP 4A/100V TO-126

banlinhkiendientu.com chuyên cung cấp Transistor MJE253G, với chất lượng tốt và giá cả hợp lý đảm bảo cung cấp số lượng lớn đáp ứng nhu cầu của khách hàng.

Giới thiệu

• Các thiết bị này được thiết kế cho bộ khuếch đại âm thanh công suất thấp và các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao, dòng điện thấp.

Mô tả

• Chỉ định loại: MJE253G
• Mã bóng bán dẫn SMD: JE253
• Chất liệu Transistor: Si
• Phân cực: PNP
• Tản điện tối đa của bộ thu (Pc): 15 W
• Điện áp cơ sở Collector tối đa |Vcb|: 100 V
• Điện áp cực thu-phát tối đa |Vce|: 100 V
• Điện áp cơ sở bộ phát tối đa |Veb|: 7 V
• Dòng thu tối đa |Ic max|: 4 A
• Tối đa. Nhiệt độ điểm nối hoạt động (Tj): 150 ° C
• Tần số chuyển tiếp (ft): 40 MHz
• Điện dung thu (Cc): 50 pF
• Tỷ lệ chuyển tiếp hiện tại (hFE), MIN: 40
• Hệ số tiếng ồn, dB: –
• Đóng gói: TO126

Đặc trưng

• Điện áp duy trì Collector-Emitter cao
• Mức tăng dòng điện DC cao
• Điện áp bão hòa Collector-Emitter thấp
• Sản phẩm có mức tăng băng thông hiện tại cao
• Cấu trúc hình khuyên cho mức rò rỉ thấp

Xem thêm: Các sản phẩm Transistor khác

Hình ảnh sản phẩm

Sơ đồ chân

Thông số kỹ thuật của Transistor MJE253G

Kích thước của Transistor MJE253G

Datasheet MJE253G