SiHG20N50C-E3 Mosfet kênh N 20A 500V (hàng làm mới)

Giới thiệu về G20N50C

G20N50C là transistor MOSFET kênh N được thiết kế cho các ứng dụng công suất cao, đặc biệt trong các mạch chuyển đổi nguồn, mạch điều khiển động cơ và các hệ thống điện tử công suất lớn. Với khả năng chịu điện áp cao và hiệu suất chuyển mạch tốt, linh kiện này phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu độ tin cậy và khả năng tản nhiệt cao. Gói TO-247AC giúp dễ dàng lắp đặt và đảm bảo tản nhiệt hiệu quả.

Thông số kỹ thuật của G20N50C

• Điện áp chịu được (Vds): 500V

• Dòng điện tối đa (Id): 20A

• Rds(on): 270mΩ tại Vgs = 10V

• Tổng điện tích cổng (Qg): 65nC

• Điện dung đầu vào (Ciss): 2942pF

• Điện áp ngưỡng cổng (Vgs(th)): 5V

• Điện áp cổng tối đa (Vgs): ±30V

• Công suất tiêu tán tối đa: 250W

• Nhiệt độ hoạt động tối đa: 150°C

• Gói: TO-247AC

Ứng dụng của G20N50C

Dùng trong bộ chuyển đổi DC-DC
Nguồn điện công nghiệp
Mạch điều khiển động cơ
Nguồn điện cho các thiết bị điện tử công suất lớn

Sơ đồ chân của G20N50C

Kích thước của G20N50C

Xem thêm các MOSFET khác tại đây

Datasheet của G20N50C