​K2718, 2SK2718 Mosfet Kênh-N 900V/2.5A TO-220F

Giới thiệu về 2SK2718

2SK2718 là một MOSFET công suất N-channel được sản xuất bởi hãng Toshiba. Đây là loại MOSFET được thiết kế để hoạt động trong các ứng dụng yêu cầu khả năng chịu tải cao và điện áp thấp, như trong các bộ nguồn, mạch điều khiển động cơ, và các thiết bị điện tử công suất. Với đặc tính điện trở kênh dẫn thấp và khả năng dẫn dòng lớn, nó là sự lựa chọn tốt cho các bộ nguồn chuyển mạch, điều khiển động cơ và các thiết bị điện tử công suất. 2SK2718 hoạt động dựa trên nguyên lý của MOSFET N-channel. Khi điện áp cổng (gate) đủ cao, nó tạo ra một kênh dẫn giữa cực thoát (drain) và cực nguồn (source), cho phép dòng điện chạy qua. Điện trở kênh dẫn thấp giúp giảm tổn thất năng lượng và nhiệt độ khi MOSFET dẫn dòng.

Đặc trưng kỹ thuật

• Dòng điện dẫn lớn: Với khả năng dẫn dòng liên tục lên đến 2.5A, 2SK2718 thích hợp cho các ứng dụng yêu cầu dòng điện cao.
• Điện áp cực thoát – cực nguồn thấp: Vds tối đa 900V, phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu điện áp thấp và trung bình.
• Điện trở kênh dẫn thấp (Rds(on)): Với Rds(on) chỉ 0.055 Ohm khi Vgs = 10V, MOSFET này giúp giảm tổn thất điện năng và nhiệt độ trong quá trình hoạt động.
• Hiệu suất cao: Điện trở kênh dẫn thấp giúp giảm tổn thất điện năng, cải thiện hiệu suất tổng thể của hệ thống.
• Khả năng dẫn dòng lớn: Với dòng dẫn liên tục 2.5A, 2SK2718 có thể xử lý các ứng dụng yêu cầu dòng điện cao.
• Điện áp ngưỡng thấp: Giúp dễ dàng điều khiển MOSFET bằng các mạch logic với điện áp thấp.

Thông số kỹ thuật

• Loại MOSFET: N-Channel
• Điện áp cực thoát – cực nguồn (Vds): 900V
• Dòng dẫn liên tục (Id): 2.5A tại nhiệt độ 25°C
• Điện áp ngưỡng cổng (Vgs(th)): 1.0V đến 2.5V
• Điện trở kênh dẫn (Rds(on)): 0.055 Ohm khi Vgs = 10V
• Công suất tiêu tán (Pd): 70W tại nhiệt độ môi trường 25°C

Sơ đồ cấu tạo

Kích thước 2SK2718

Xem thêm: Các mã Mosfet khác

Datasheet 2SK2718