10MQ040N kí hiệu V1F Diode Schottky SMD DO-214AC 1A40V

Giới thiệu về Diode Schottky 10MQ040N

10MQ040N là một diode Schottky công suất nhỏ, gói SMD DO-214AC (SMA), có khả năng chịu dòng điện lên đến 1A và điện áp ngược tối đa 40V. Với ký hiệu V1F, diode này được thiết kế cho các ứng dụng yêu cầu hiệu suất chuyển mạch nhanh, điện áp rơi thấp, và kích thước nhỏ gọn, phù hợp với thiết bị điện tử hiện đại.

Thông số kỹ thuật của 10MQ040N

• Dòng điện tối đa (Forward current, I_F): 1A
• Điện áp ngược tối đa (Reverse voltage, V_R): 40V
• Điện áp rơi thuận (Forward voltage drop, V_F): Khoảng 0.45V ở dòng 1A
• Dòng điện rò ngược (Reverse leakage current, I_R): Rất thấp
• Tần số hoạt động: Hoạt động tốt ở tần số cao
• Nhiệt độ hoạt động (Operating temperature): -55°C đến +150°C
• Gói đóng: DO-214AC (SMA)

Nguyên lý hoạt động của Diode Schottky 10MQ040N

Diode Schottky sử dụng tiếp xúc giữa kim loại và bán dẫn thay vì tiếp xúc P-N, giúp giảm đáng kể điện áp rơi khi dẫn dòng (forward voltage drop). Khi áp thuận được đặt vào diode, dòng điện sẽ đi qua với điện áp rơi thấp, thường khoảng 0.2V – 0.45V. Điều này làm cho nó hoạt động hiệu quả hơn so với các diode silicon thông thường.

Chức năng của Diode Schottky 10MQ040N

• Chỉnh lưu (Rectification): Chuyển đổi dòng xoay chiều (AC) thành dòng một chiều (DC) trong các ứng dụng công suất nhỏ.
• Bảo vệ mạch: Hoạt động như một diode chống ngược dòng để bảo vệ các linh kiện nhạy cảm trong mạch.
• Nguồn chuyển mạch (Switching Power Supply): Được sử dụng trong các mạch nguồn xung nhờ tốc độ chuyển mạch nhanh.
• Ứng dụng giảm điện áp rơi: Tăng hiệu suất năng lượng bằng cách giảm tổn thất do điện áp rơi trong mạch.

Ứng dụng của 10MQ040N

• Thiết bị điện tử tiêu dùng: Các thiết bị di động, máy tính, và mạch điều khiển nhỏ.
• Mạch nguồn DC-DC: Sử dụng trong các bộ chuyển đổi điện áp nhỏ.
• Bảo vệ mạch: Chống điện áp ngược và xung điện áp cao.
• Hệ thống chiếu sáng LED: Ứng dụng trong các mạch chỉnh lưu công suất thấp cho đèn LED.
• Mạch RF và viễn thông: Hiệu quả trong các mạch yêu cầu tốc độ chuyển mạch nhanh và tổn thất năng lượng thấp.