Giới thiệu IGBT
– 11N120CND là một IGBT kết hợp tốt nhất tính năng của MOSFETs và bóng bán dẫn lưỡng cực.
– IGBT này có trở kháng đầu vào cao của MOSFET và tổn thất dẫn điện ở trạng thái thấp của bóng bán dẫn lưỡng cực.
– IGBT được sử dụng là loại TA49290.
– Diode được sử dụng là loại TA49189
– IGBT lý tưởng cho nhiều chuyển mạch điện áp cao các ứng dụng hoạt động ở tần số vừa phải, nơi thấp tổn thất dẫn điện là rất cần thiết, chẳng hạn như: điều khiển động cơ AC và DC, nguồn cung cấp điện và trình điều khiển cho cuộn dây, rơ le và công tắc tơ.
Đặc trưng
– 43A, 1200V, TC = 25oC
– Suy hao điện thấp
Bảng thông số 11N120CND, 11N120
Ký hiệu 11N120CND, 11N120
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.