G60N100BNTD G60N100 IGBT 60A/1000V TO-3P ( Tháo máy)

G60N100BNTD là một loại transistor MOSFET n-channel. Đây là một thiết bị bán dẫn có đặc điểm kỹ thuật phù hợp cho các ứng dụng công suất cao.

Thông số Kỹ thuật G60N100BNTD

1. Loại MOSFET: N-channel
2. Điện áp cực đại (Vds): 1000V (1kV)
3. Dòng cực đại (Id): 60A
4. Điện trở khi bật (Rds(on)): Khoảng 0.25Ω (tại Vgs = 10V)
5. Điện áp cổng-kênh tối thiểu để bật (Vgs(th)): 3.0V đến 5.0V
6. Công suất tỏa nhiệt tối đa (Pd): 125W (tại nhiệt độ môi trường 25°C với điều kiện làm mát tốt)
7. Nhiệt độ hoạt động (Tj): -55°C đến +150°C

Đặc điểm G60N100BNTD

• Điện áp cực đại cao: G60N100BNTD có khả năng chịu đựng điện áp cực đại lên tới 1000V, làm cho nó phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu điện áp cao.
• Dòng điện lớn: Có khả năng xử lý dòng điện lên tới 60A, lý tưởng cho các ứng dụng công suất lớn.
• Điện trở khi bật thấp: Với Rds(on) thấp, nó giúp giảm tổn thất năng lượng trong quá trình chuyển mạch.
• Tản nhiệt: Với công suất tỏa nhiệt tối đa là 125W, cần phải có thiết kế tản nhiệt hiệu quả để duy trì hiệu suất ổn định.

Ứng dụng G60N100BNTD

• Nguồn điện công suất: Phù hợp cho các thiết bị yêu cầu công suất cao và điện áp lớn.
• Chuyển mạch công suất: Dùng trong các mạch chuyển mạch, bộ điều khiển động cơ, và các ứng dụng công nghiệp khác.
• Ứng dụng trong các mạch điều khiển: Thích hợp cho các mạch điều khiển điện áp và dòng điện cao.