​11N60C3, SPA11N60C3 Mosfet Kênh-N 600V/11A TO-220FP

Giới thiệu về SPA11N60C3

SPA11N60C3 là một MOSFET công suất N-channel thuộc dòng sản phẩm CoolMOS™ C3 của Infineon Technologies. MOSFET này được thiết kế đặc biệt để cung cấp hiệu suất chuyển mạch cao và tổn thất điện năng thấp, phù hợp cho các ứng dụng điện áp cao như bộ nguồn chuyển mạch (SMPS), bộ điều chỉnh điện áp, và các thiết bị điện tử công suất. Với hiệu suất năng lượng cao và khả năng chuyển mạch nhanh, nó là lựa chọn tốt cho các bộ nguồn chuyển mạch, điều chỉnh điện áp, và các ứng dụng trong thiết bị điện tử công suất.

Đặc trưng kỹ thuật 

• Công nghệ CoolMOS™: SPA11N60C3 sử dụng công nghệ CoolMOS™ của Infineon, cung cấp hiệu suất cao với tổn thất chuyển mạch thấp, giúp tăng hiệu suất năng lượng trong các hệ thống công suất cao.
• Điện áp cực thoát – cực nguồn cao (Vds): Với khả năng chịu điện áp lên đến 600V, MOSFET này phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu điện áp cao.
• Điện trở kênh dẫn thấp: Rds(on) chỉ 0.38 Ohm giúp giảm tổn thất điện năng trong quá trình dẫn dòng, tăng hiệu suất cho các ứng dụng chuyển mạch.
• Hiệu suất năng lượng cao: Nhờ công nghệ CoolMOS™, MOSFET này cung cấp hiệu suất chuyển mạch cao, giúp giảm tổn thất điện năng và cải thiện hiệu suất tổng thể của hệ thống.
• Khả năng chịu điện áp cao: Với Vds tối đa 650V, MOSFET này có thể hoạt động hiệu quả trong các ứng dụng yêu cầu điện áp cao mà không bị hư hỏng.
• Giảm nhiệt độ hoạt động: Tổn thất điện năng thấp giúp giảm nhiệt độ hoạt động, kéo dài tuổi thọ của thiết bị.

Thông số kỹ thuật

• Loại MOSFET: N-Channel
• Điện áp cực thoát – cực nguồn (Vds): 600V
• Dòng dẫn liên tục (Id): 11A tại nhiệt độ 25°C
• Điện áp ngưỡng cổng (Vgs(th)): 2.1V đến 3.9V
• Điện trở kênh dẫn (Rds(on)): 0.38 Ohm khi Vgs = 10V
• Công suất tiêu tán (Pd): 125W tại nhiệt độ môi trường 25°C
• Điện dung ngõ vào (Ciss): 1850 pF

Đặc tính điện từ

Sơ đồ cấu tạo

Kích thước SPA11N60C3

Xem thêm: Các mã Mosfet khác

Datasheet SPA11N60C3