23NM50N Transistor Mosfet kênh N 23A 500V TO-247 tháo máy

GIỚI THIỆU CHUNG 23NM50N

Transistor MOSFET 23NM50N là một linh kiện bán dẫn thuộc loại MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) kênh N, được thiết kế cho các ứng dụng chuyển mạch và khuếch đại tín hiệu trong các mạch điện tử công suất trung bình. Với khả năng chịu điện áp Drain-Source tối đa lên đến 500V và dòng điện Drain liên tục 23A, linh kiện này thường được sử dụng trong các bộ nguồn chuyển mạch (SMPS), mạch điều khiển động cơ, инвертор, bộ điều khiển chiếu sáng và nhiều ứng dụng khác. Sản phẩm này là hàng tháo máy, đã qua sử dụng nhưng vẫn có tiềm năng tái sử dụng cho các dự án DIY, sửa chữa hoặc nghiên cứu, mang lại một lựa chọn kinh tế.

NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG 23NM50N

Điều khiển dòng điện giữa Drain (D) và Source (S) bằng điện áp trên Gate (G).

Điện áp Gate tạo ra một điện trường, hình thành hoặc triệt tiêu kênh dẫn trong chất bán dẫn.

• MOSFET kênh N:
  • Khi điện áp Gate-Source (VGS​) nhỏ hơn điện áp ngưỡng (Vth​), MOSFET ở trạng thái tắt (OFF).
  • Khi VGS​ vượt quá Vth​, một kênh dẫn điện loại N được hình thành, cho phép dòng điện chạy từ Drain sang Source (ON).
  • Độ lớn của dòng điện Drain (ID​) được điều khiển bởi VGS​ và điện áp Drain-Source (VDS​).
• Hoạt động như một công tắc điện tử hoặc bộ khuếch đại.

Sơ đồ chân:

CHỨC NĂNG CỦA 23NM50N

• Chuyển mạch (Switching):
  • Đóng/mở mạch điện nhanh chóng, điều khiển dòng điện lên đến 23A ở điện áp 500V.
  • Sử dụng trong các ứng dụng yêu cầu chuyển đổi trạng thái nhanh chóng và hiệu quả.
• Khuếch đại (Amplification):
  • Khuếch đại tín hiệu điện áp hoặc dòng điện trong các mạch khuếch đại công suất trung bình.
• Điều khiển (Control):
  • Điều chỉnh dòng điện hoặc điện áp trong mạch bằng cách thay đổi điện áp trên chân Gate.

THÔNG SỐ KỸ THUẬT:

 XEM THÊM CÁC MOSFET TẠI ĐÂY

ỨNG DỤNG THỰC TẾ CỦA 23NM50N

• Bộ nguồn xung (SMPS): Sử dụng trong các mạch chuyển đổi DC-DC và AC-DC của các thiết bị điện tử.
• Mạch điều khiển động cơ: Điều khiển tốc độ và hướng của động cơ điện trong các thiết bị gia dụng hoặc công nghiệp nhỏ.
• (Inverters): Chuyển đổi điện áp một chiều (DC) sang xoay chiều (AC).
• Bộ điều khiển chiếu sáng: Điều khiển cường độ sáng của đèn LED hoặc các loại đèn khác.
• Mạch sạc pin: Quản lý và điều khiển quá trình sạc pin.
• Các ứng dụng công suất trung bình khác: Yêu cầu khả năng chịu điện áp và dòng điện tương đối cao.

KÍCH THƯỚC:

LƯU Ý KHI SỬ DỤNG 23NM50N TRANSISTOR MOSFET KÊNH N 23A 500V TO-247 THÁO MÁY

• Kiểm tra kỹ lưỡng trước khi sử dụng:
  • Kiểm tra hình thức bên ngoài: không có nứt, vỡ, cong chân, hoặc dấu hiệu cháy nổ.
  • Sử dụng đồng hồ vạn năng để đo kiểm tra:
    • Điện trở giữa Drain và Source (nên là vô cùng lớn khi chưa kích).
    • Điện trở giữa Gate và Source (nên là vô cùng lớn).
    • Kiểm tra diode nội giữa Drain và Source (nếu có).
• Tìm kiếm Datasheet:
  • Cố gắng tìm datasheet chính xác của 23NM50N để có đầy đủ thông số kỹ thuật (như RDS(on)​, VGS(th)​, Ciss​, v.v.).
  • Nếu không tìm thấy, tham khảo datasheet của các MOSFET 500V 23A khác có đặc tính tương tự.
• Quản lý nhiệt hiệu quả:
  • Luôn sử dụng tản nhiệt phù hợp và đủ lớn, đặc biệt khi MOSFET hoạt động ở gần giới hạn dòng và điện áp.
  • Sử dụng keo/kem tản nhiệt để đảm bảo tiếp xúc nhiệt tốt giữa MOSFET và tản nhiệt.
• Cẩn trọng với tĩnh điện (ESD):
  • MOSFET rất nhạy cảm với tĩnh điện. Luôn thực hiện các biện pháp phòng chống tĩnh điện (vòng tay chống tĩnh điện, thảm chống tĩnh điện) khi xử lý.
• Không vượt quá thông số định mức:
  • Tuyệt đối không vượt quá điện áp Drain-Source tối đa (500V) và dòng điện Drain liên tục (23A).
  • Đặc biệt chú ý đến dòng điện xung (IDM​) và công suất tiêu thụ (PD​).
• Điện áp điều khiển Gate (VGS):
  • Đảm bảo điện áp điều khiển Gate nằm trong phạm vi an toàn (thường là +/- 20V). Điện áp Gate quá cao có thể phá hủy lớp oxide cách điện.
  • Điện áp Gate phải đủ để MOSFET dẫn hoàn toàn (ví dụ: 10V-15V cho MOSFET công suất).
• Thận trọng với độ tin cậy của linh kiện tháo máy:
  • Linh kiện có thể đã bị stress hoặc hoạt động trong điều kiện khắc nghiệt trước đó.
  • Nên thử nghiệm ở điều kiện tải thấp trước khi đưa vào hoạt động với tải lớn.
  • Không nên sử dụng cho các ứng dụng yêu cầu độ tin cậy tuyệt đối (ví dụ: thiết bị y tế, hàng không).

DATASHEET: